非晶軟磁合金薄帶的巨磁阻抗效應.pdf

1、摘耍非晶軟磁合金薄帶的巨磁阻抗效應摘要、巨磁阻抗(GMI)效應是軟磁合金材料的交流阻抗隨外加直流磁場變化而變化的特性，產生GMI效應的主要原因是高頻電流的趨膚效應。近年來，由于巨磁阻抗效應的發(fā)現(xiàn)和預期它在磁記錄和磁傳感器等方面有潛在應用前景，引起各國研究人員的廣泛興趣。1992年日本名古屋大學毛利佳年雄(K.Mohri)等人首先在C?；洿欧蔷Ъ毥z中發(fā)現(xiàn)并報導了這一現(xiàn)象。最初對這一效應研究最多的是具有零或負磁致伸縮系數(shù)的鉆基非晶態(tài)軟磁合

2、金細絲，特別是長度只有幾毫米的小尺寸細絲。當細絲通以高頻電流時，細絲兩端感生的電壓振幅隨沿絲長方向所加外磁場強度的改變而變化，這種變化無磁滯效應，而且是響應快、靈敏度高。對這種特別大的磁阻抗效應人們稱之為巨磁阻抗效應。在趨膚效應可以忽略的低頻情況下，阻抗中的電阻分量受外磁場影響很小，交流電壓的磁場關系主要來自細絲的電感分量，因而這時稱巨磁電感效應。高頻情況下，趨膚效應起主要作用，這時阻抗中的電阻分量和電感分量同時受外磁場影響，表現(xiàn)為巨磁

3、阻抗效應。近年來對GMI效應的研究己經擴大到非晶和納米晶軟磁合金薄帶和薄膜。利用巨磁阻抗效應已經制成許多有價—一一一一一一一一一一一一一19本研究工作得到如下重要結果:FeNiCrSiB非晶軟磁合金薄帶的磁特性和巨磁阻抗(GMI)效應.從M5T曲線可以得到FeNiCrSiB非晶薄帶的居里溫度大約為292C。在曲線上存在兩個相變點TI和T2oTI為第一晶化溫度，約為4820CT2為第二晶化溫度，約為5870Co第一相變點是Fe的納米晶粒從

4、非晶母相中分離出來。第二相變點對應非晶母相開始晶化.室溫下材料的飽和磁化強度為44KAm。在f=100kHz頻率下退火樣品有效磁導率為9470.在晶化溫度以下退火的軟磁合金FeNiCrSiB非晶薄帶樣品具有較好的巨磁阻抗效應。對退火溫度為350C，退火時間為90分鐘的樣品，在f=2MHz頻率下縱向磁阻抗比為53.7%，在f=4MHz頻率下橫向磁阻抗比為8.5%薄帶樣品縱向磁阻抗效應明顯優(yōu)于橫向。.對退火溫度為3500C，退火時間為90分