基于溫度變化的量子阱紅外探測器探測峰值波長的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著納米材料在半導體中的廣泛應用以及力電光信號介觀轉換機理的發(fā)展，各種新型的超晶格量子阱器件被設計加工出來。這些納機電器件在先進技術的支持下會體現出新的特征和性能。本論文以介觀壓阻效應的基本理論思想為基礎，結合溫度變化對超晶格材料的影響，研究了不同溫度作用下GaAs/AlxGa1-xAs量子阱紅外探測器（QWIP）的吸收波長以及光電流峰位所發(fā)生的變化。
　　本文詳細介紹了超晶格的結構特征以及不同溫度對它的影響，并以此為基礎闡述了量

2、子阱紅外探測器的理論基礎和工作原理，分析了器件的光電特性。論文主要從溫度與勢阱、勢壘寬度和材料帶隙這兩個方面的關系分析了對器件性能的影響。
　　主要研究內容如下：
　?。?）對半導體材料應變與溫度的關系進行了推導，并利用GaAs、Al0.3Ga0.7As的參數計算了沿超晶格生長方向隨溫度變化的關系式。
　?。?）利用GaAs和AlxGa1-xAs材料帶隙與溫度的關系式，推得勢壘高度隨溫度的變化關系式，進而計算了三種躍遷

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