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文檔簡介
1、高功率量子阱激光器是當今高功率激光器發(fā)展的重要方向之一,但是大功率量子阱半導體激光器在運轉的過程中,來自有源區(qū)產生的熱量使器件的溫度升高,成為限制高功率半導體激光器發(fā)展的重要因素。隨著功率的日益提高解決器件的散熱問題是理論研究和技術發(fā)展的重要課題,也就是器件的溫度敏感性問題,即T0問題。 本論文“高特征溫度大功率應變量子阱半導體激光器設計研究”,從應變量子阱半導體激光器出發(fā),在材料物理性質和器件結構兩個方面分析了影響T0值的幾種
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