UHV-CVD外延生長(zhǎng)硅及鍺硅單晶薄膜.pdf_第1頁
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1、Y8之ljI55洳≥：J～碩士學(xué)位論文⑧浙江^掌碩士畢業(yè)論文UHV／CVD，k延生長(zhǎng)硅及錆硅單晶薄膜AbstractThisthesisworkmainlyinvolvesthedepositionbyUHV／CVDandcharacterizationofundopedepitaxialSiGesingle—layerandmultilayeraswellasstudiesofSiGegrowthkineticsThedepositi

2、onofrelaxedSi。GexbufferusedforhighGecontentvirtualsubstrateisalsoincludedinthearticleIntheresearchweusehighresolutionX—raydiffractometry，Ramanscatteringspectroscopy，secondaryionmassspectrometry，TEMandatomicforcemicroscop

3、ytocharacterizethedepositedfilmsIntheexperimentsweutilizeUHV／CVD—IIgrowthsystemofourlaboratoryAtfirst，weaccomplishedgrowthofhighqualitylayersofSilxGexsinglelayerwithgermaniumcontentsof0127xO56onsiliconsubstratesattempera

4、tures500～660。C，andthegrowthparametersareoptimizedinthegrowthWeanalysesystematicallytherelationofgrowthtemperature，sourcegasfluxratio，germaneincorporationandgrowthrate，andresearchontheirinfluenceonthequalityofthefilmSecon

5、dly，uponthatground，wefinishthegrowthofmulti—quantumwellandsuperlatticemulti—layersThemeasurementresultsindicatethatthemulti—layersacquiredhavehighperiodicitywithclearSi／SiGedividinglinesandabruptinterfaces，thecontentandt

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