界面構形對分子器件電子輸運性質(zhì)的影響.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文采用密度泛函理論結合非平衡格林函數(shù)的方法，研究了由表面重構以及吸附原子團簇所引起的界面構形對分子器件輸運性質(zhì)的影響。主要內(nèi)容如下:
　　1、C60分子引起的Cu(111)面的重構對電子輸運性質(zhì)的影響。實驗上發(fā)現(xiàn)，在一定的條件下，C60在Cu(111)面上生長時，會使得4×4的金屬表面單胞出現(xiàn)7個原子空洞的重構結構。對于C60分子和Cu(111)塊體構建的分子器件，考慮到分子-電極接觸界面的重構，理論模擬結果發(fā)現(xiàn)電導增大了，小

2、偏壓范圍內(nèi)電流是完整表面結構的1.5倍。我們的結果表明界面重構增強了分子器件的導電性能。
　　2、吸附原子團簇對輸運性質(zhì)的影響。實驗上制備分子器件時，尤其在自組裝過程中，電極表面還會出現(xiàn)吸附原子團簇乃至島狀結構等等。我們采用C60分子與Ni(111)塊體電極構建兩端體系，研究了兩端電極磁矩平行時，隨著團簇原子個數(shù)N的增多，自旋電子輸運性質(zhì)的變化。結果表明，同一偏壓下，隨著N的增大，電流逐漸增大，其自旋極化度逐漸減小。顯然團簇尺寸的

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