ZnO薄膜和ZnO紫外探測器.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種多用途的材料.傳統(tǒng)上,ZnO薄膜被廣泛應用于聲表面波器件,體聲波器件、氣敏傳感器、壓敏電阻、透明導電電極等.近年來,ZnO作為寬帶半導體材料的研究越來越受到們的重視.ZnO薄膜的生長溫度一般低于700℃,比GaN(生長溫度1050℃)要低得多;ZnO薄膜在室溫下光致發(fā)光和受激輻射有較低的閾值功率和很高的能量轉換效率;ZnO有較高的激子復合能(60meV),激子在室溫下仍然不會分解,理論上有可能實現(xiàn)室溫下較強的紫外受激發(fā)射,制

2、備出較好性能的探測器、LED和LD等光電子器件.該文較全面了闡述了ZnO薄膜的各種生長技術及其原理,并概括了薄膜研究的最新進展.用直流反應磁控濺射的方法生長了高度C軸擇優(yōu)取向的ZnO薄膜,用X射線衍射(XRD)、透射電鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、擴展電阻儀(SRP)、吸收光譜、Hall測試儀等方法對ZnO薄膜的結構和性能進行了表征.系統(tǒng)地概括了各生長條件如襯底溫度、濺射功率、濺射氣氛和濺射壓強等參數(shù)對ZnO薄膜的影響.該文還研

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