EEPROM隧道氧化層的退化及電路優(yōu)化設計技術.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著我國市場經濟的發(fā)展，IC卡得到越來越廣泛的運用。卡中EEPROM存儲器的優(yōu)劣深刻影響IC卡的性能。隧道氧化層的退化是引起EEPROM可靠性的主要原因。本文利用MOS電容和浮柵引出的FLOTOX EEPROM單元結構研究了隧道氧化層在恒流應力下的退化。研究表明擊穿電荷量QBD與電流密度和電流方向有關。QBD隨著電流密度的增大而減小，正電流偏置應力下的QBD較大。給出了評價EEPROM耐久性的QBD測試方法。當QBD>5C/cm2時，E

2、EPROM擦/寫次數可超過10萬次。柵壓和閾值電壓的變化表明隧道氧化層的退化與注入電荷量Qinj和注入方向有關。低Qinj下，隧道氧化層中以正電荷俘獲為主；在高Qinj下，以負電荷的俘獲為主。柵注入應力下產生更多的正陷阱電荷和界面態(tài)。通過物理模型解釋了實驗現象。設計了專用的測試系統(tǒng)，對嵌入式：EEPROM IP核的可靠性進行了研究。 通過簡單的解析模型，提出了電荷泵電路功耗最小化的設計原則。利用這一原則，可以由輸入和輸出電壓確定

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