光纖器件研拋新技術(shù)研究.pdf

1、側(cè)邊拋磨光纖越來越受到人們的關(guān)注，它獨(dú)特的光學(xué)特性、低廉的成本及全光纖小型化的特點(diǎn)，使其成為研究和制作新型光纖器件的優(yōu)良選擇。
　　 本文綜述了國內(nèi)外側(cè)邊拋磨光纖所制成的全光纖器件的研究歷史及發(fā)展前景?；诠饫w光學(xué)的基礎(chǔ)波動(dòng)理論給出光纖倏逝場方程。助借于二維有限差分光束傳播法，對(duì)單芯光纖及雙芯光纖側(cè)邊拋磨光傳輸特性進(jìn)行了模擬。計(jì)算了側(cè)邊拋磨光纖在不同的結(jié)構(gòu)參數(shù)及聚合物折射率參數(shù)下的光功率傳輸特性，分析了光纖拋磨長度、剩余包層厚度

2、及拋磨區(qū)涂覆的聚合物折射率這三個(gè)參數(shù)對(duì)拋邊拋磨光纖的光功率傳輸特性的影響。結(jié)果表明，側(cè)邊拋磨光纖的拋磨面與纖芯的剩余厚度越小，光功率衰減越大，對(duì)涂敷材料的折射率變化的靈敏度越大；拋磨區(qū)長度越長，光功率衰減越大。對(duì)于雙芯光纖，纖芯之間的距離大于4μm時(shí)，側(cè)邊拋磨只對(duì)靠近拋磨面的纖芯有影響，對(duì)另一纖芯無影響；纖芯距離小于4μm時(shí)，側(cè)邊拋磨對(duì)兩個(gè)纖芯都有影響。
　　 本文設(shè)計(jì)了新型側(cè)邊拋磨系統(tǒng)，對(duì)單芯光纖進(jìn)行了側(cè)邊拋磨。分析測量了光纖