砷對小鼠小腦長時程抑制關鍵基因Camk4表達的影響.pdf

1、目的：研究亞慢性砷暴露對運動性學習和記憶毒性作用的分子機制，考察砷暴露小鼠小腦內(nèi)基因的差異表達狀況并篩選相關差異表達基因。 方法：測定對照組、1 ppm和4 ppm As2O3染毒小鼠小腦組織的砷蓄積濃度、Morris水迷宮測試砷暴露小鼠的學習記憶能力，以及用基因芯片技術檢測小鼠小腦長時程抑制（LTD）晚期依賴環(huán)磷酸腺苷反應元件結合蛋白（Creb）的蛋白合成過程的關鍵基因表達譜的差異表達，并進一步用Western blot方法證

2、實了鈣離子/鈣調蛋白依賴的蛋白激酶IV（Camk4）蛋白水平表達的改變。 采用SPSS10．0統(tǒng)計軟件，用單因素方差分析（ANOVA），比較各染砷組與對照組間的統(tǒng)計學差異，以P<0．05表示統(tǒng)計學差異顯著。 結果：砷暴露小鼠小腦組織砷的蓄積濃度與染毒劑量呈劑量反應關系；Morris水迷宮實驗中，實驗組小鼠逃離潛伏期比對照組長，有統(tǒng)計學意義（P<0．05）；基因和蛋白水平的研究顯示，砷暴露導致小鼠小腦組織LTD信號途徑晚期

3、參與蛋白合成途徑的重要調節(jié)蛋白Camk4表達下調，并且，抗氧化劑?；撬岷途S生素C不能拮抗砷對Camk4蛋白表達的下調作用（P>0．05）。 結論：亞慢性砷暴露使砷在小鼠小腦組織內(nèi)蓄積，并可能通過干擾Camk4在基因和蛋白水平的表達而影響小鼠小腦的學習和記憶功能。此外，抗氧化劑牛磺酸和維生素C在砷干擾Camk4表達的過程中拮抗作用不明顯。以上研究結果顯示，Camk4可能是砷誘導的神經(jīng)毒性作用的靶蛋白，而且砷對Camk4基因和蛋白水