半導體物理學名詞解釋-2

1、半導體物理學名詞解釋1、直接復合：電子在導帶與價帶間直接躍遷而引起非平衡載流子的復合。2、間接復合：指的是非平衡載流子通過復合中心的復合。3、俄歇復合：載流子從高能級向低能級躍遷發(fā)生電子空穴復合時，把多余的能量傳給另一個載流子，使這個載流子被激發(fā)到能量更高的能級上去，當它重新躍遷回到低能級時，多余的能量常以聲子的形式放出，這種復合稱為俄歇復合，顯然這是一種非輻射復合。4、施主雜質(zhì)：V族雜質(zhì)在硅、鍺中電離時，能夠施放電子而產(chǎn)生導電電子并形

2、成正電中心，稱它們?yōu)槭┲麟s質(zhì)或n型雜質(zhì)。5、受主雜質(zhì)：Ⅲ族雜質(zhì)在硅、鍺中能夠接受電子而產(chǎn)生導電空穴，并形成負點中心，所以稱它們?yōu)槭苤麟s質(zhì)或p型雜質(zhì)。6、多數(shù)載流子：半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。在N型半導體中電子是多數(shù)載流子空穴是少數(shù)載流子。在P型半導體中空穴是多數(shù)載流子電子是少數(shù)載流子。7、能谷間散射：8、本征半導體：本征半導體就是沒有雜質(zhì)和缺陷的半導體。9、準費米能級：半導體中的非平衡載流子，可以認為它們都處于準平衡狀態(tài)（即導

3、帶所有的電子和價帶所有的空穴分別處于準平衡狀態(tài)）。對于處于準平衡狀態(tài)的非平衡載流子，可以近似地引入與Fermi能級相類似的物理量——準Fermi能級來分析其統(tǒng)計分布；當然，采用準Fermi能級這個概念，是一種近似，但確是一種較好的近似?；谶@種近似，對于導帶中的非平衡電子，即可引入電子的準Fermi能級；對于價帶中的非平衡空穴，即可引入空穴的準Fermi能級。10、禁帶：能帶結構中能態(tài)密度為零的能量區(qū)間。11、價帶：半導體或絕緣體中，在

4、絕對零度下能被電子沾滿的最高能帶。12、導帶：導帶是自由電子形成的能量空間，即固體結構內(nèi)自由運動的電子所具有的能量范圍。13、束縛激子：等電子陷阱俘獲載流子后成為帶電中心，這一中心由于庫侖作用又能俘獲另一種帶電符號相反的載流子從而成為定域激子，稱為束縛激子。14、淺能級雜質(zhì)：在半導體中、其價電子受到束縛較弱的那些雜質(zhì)原子，往往就是能夠提供載流子（電子或空穴）的施主、受主雜質(zhì)，它們在半導體中形成的能級都比較靠近價帶頂或導帶底，因此稱其為淺

5、能級雜質(zhì)。15、深能級雜質(zhì)：雜質(zhì)電離能大，施主能級遠離導帶底，受主能級遠離價帶頂。16、遷移率：μ，表示單位場強下電子的平均漂移速度，單位是m^2(Vs)或者cm^2(Vs)。17、空穴的牽引長度：表征空穴漂移運動的有效范圍的參量就是空穴的牽引長度。18、陷阱效應：雜質(zhì)能級積累非平衡載流子的作用就叫做陷阱效應。19、替位式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子取代晶格原子而位于晶格點處。20、間隙式雜質(zhì)：雜質(zhì)原子位于晶格原子的間隙位置。21、弗侖克耳缺陷：間隙

6、原子和空穴成對出現(xiàn)導致的缺陷。22、肖特基缺陷：只在晶體內(nèi)形成空位而無間隙原子時的缺陷。23、高阻區(qū)：24、等電子雜質(zhì)：當雜質(zhì)的價電子數(shù)等于其所替代的主晶格原子的價電子數(shù)時，這種雜質(zhì)稱為等電子雜質(zhì)。25、負微分電導：26、擴散長度：擴散長度是表征載流子擴散有效范圍的一個物理量，它等于擴散系數(shù)乘以壽命的平方根。深能級雜質(zhì)深能級雜質(zhì)雜質(zhì)能級位于半導體禁帶中遠離導帶底（施主）或價帶頂（受主），即雜質(zhì)電離能很大的雜質(zhì)。深能級雜質(zhì)對半導體導電性質(zhì)

7、影響較小，但對半導體中非平衡載流子的復合過程有重要作用。位于半導體禁帶中央能級附近的深能級雜質(zhì)是有效的復合中心。本征激發(fā)本征激發(fā)價帶上的電子激發(fā)成為準自由電子，即價帶電子激發(fā)成為導帶電子的過程，稱為本征激發(fā)。有效質(zhì)量（有效質(zhì)量（effectivemass）粒子在晶體中運動時具有的等效質(zhì)量，它概括了半導體內(nèi)部勢場的作用。其物理意義：（1）有效質(zhì)量的大小仍然是慣性大小的量度；（2）有效質(zhì)量反映了電子在晶格與外場之間能量和動量的傳遞，因此可正

8、可負?？昭ǎ昭ǎ╤ole）在電子掙脫價鍵的束縛成為自由電子，其價鍵中所留下來的空位?；匦舱窕匦舱癜雽w中的電子在恒定磁場中受洛侖茲力作用將作回旋運動，此時在半導體上再加垂直于磁場的交變磁場，當交變磁場的頻率等于電子的回旋頻率時，發(fā)生強烈的共振吸收現(xiàn)象，稱為回旋共振。n型半導體型半導體以電子為主要載流子的半導體。p型半導體型半導體以空穴為主要載流子的半導體。電中性條件電中性條件電中性條件是半導體在熱平衡情況下，它的內(nèi)部所必須滿足的一

9、個基本條件，即單位體積內(nèi)正電荷數(shù)與負電荷數(shù)相等。雜質(zhì)補償雜質(zhì)補償在半導體中同時存在施主和受主雜質(zhì)時，存在雜質(zhì)補償現(xiàn)象，即施主雜質(zhì)束縛的電子優(yōu)先填充受主能級，實際的有效雜質(zhì)濃度為補償后的雜質(zhì)濃度，即兩者之差。多子多子多數(shù)載流子是在半導體輸運過程中起主要作用的載流子，如n型半導體中的電子。少子少子少數(shù)載流子是在半導體輸運過程中起次要作用的載流子，如n型半導體中的空穴。點缺陷點缺陷是最簡單的晶體缺陷，它是在結點上或鄰近的微觀區(qū)域內(nèi)偏離晶體結構