浙大版集成電路課后答案

1、第三章第三章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其電路分析場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其電路分析題1.3.1絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管漏極特性曲線(xiàn)如圖題1.3.1（a）~（d）所示。（1）說(shuō)明圖（a）~（d）曲線(xiàn)對(duì)應(yīng)何種類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管。（2）根據(jù)圖中曲線(xiàn)粗略地估計(jì)：開(kāi)啟電壓VT、夾斷電壓VP和飽和漏極電流IDSS或IDO的數(shù)值。圖題1.3.1解：解：圖(a)：增強(qiáng)型N溝道MOS管，VGS(th)≈3VIDO≈3mA；圖(b)：增強(qiáng)型P溝道MOS管，VGS(th)≈2VIDO≈2mA；

2、圖(c)：耗盡型型P溝道MOS管，VGS(off)≈2VIDSS≈2mA；圖(d)：耗盡型型N溝道MOS管，VGS(off)≈3VIDSS≈3mA。題1.3.2場(chǎng)效應(yīng)管漏極特性曲線(xiàn)同圖題1.3.1（a）~（d）所示。分別畫(huà)出各種管子對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)iD=f（vGS）。解：解：在漏極特性上某一VDS下作一直線(xiàn)，該直線(xiàn)與每條輸出特性的交點(diǎn)決定了VGS和ID的大小，逐點(diǎn)作出，連接成曲線(xiàn)，就是管子的轉(zhuǎn)移特性了，分別如圖1.3.2所示。圖1.3

3、.2題1.3.3圖題1.3.3所示為場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。試問(wèn)：解：解：在VDS=9V處作一垂直線(xiàn)，與各VGS下的輸出特性曲線(xiàn)相交，各交點(diǎn)決定了VGS和ID，從而逐點(diǎn)描繪轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)，如圖1.3.5所示。從轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)的某一點(diǎn)作切線(xiàn)，可得gm的大小。圖1.3.5題1.3.6由MOS管組成的共源電路如圖題1.3.6所示，其漏極特性曲線(xiàn)同圖題1.3.5。（1）試分析當(dāng)vI=2V、4V、8V、10V、12V時(shí)，該MOS管分別處于什么工作區(qū)。