MgInSnO薄膜晶體管的研制.pdf_第1頁(yè)
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1、薄膜晶體管(thin film transistors，TFT)是平板顯示領(lǐng)域不可或缺的關(guān)鍵部件。以氧化鋅(ZnO)為代表的金屬氧化物薄膜晶體管以其遷移率高，開(kāi)口率高等優(yōu)點(diǎn)吸引了越來(lái)越多的關(guān)注，因此被認(rèn)為是替代傳統(tǒng)非晶硅(a-Si)和多晶硅(p-Si)的下一代薄膜晶體管技術(shù)。但ZnO薄膜通常是多晶結(jié)構(gòu)，容易產(chǎn)生晶界缺陷，且在制備過(guò)程中容易產(chǎn)生氧空位缺陷，這制約了其性能的提高，而MgO擁有較強(qiáng)的金屬-氧鍵能，可以抑制氧空位的形成。然而，到

2、目前為止，幾乎沒(méi)有關(guān)于MgO-TFT的報(bào)道。本文首次以MgInSnO為有源層制成底柵型薄膜晶體管，器件性能可以達(dá)到飽和遷移率約為12cm2/Vs，開(kāi)關(guān)比約為107，閾值電壓約為0-10V。主要研究?jī)?nèi)容如下:
　　1.研究了退火溫度及退火氧氣流量對(duì)MgInSnO薄膜晶體管性能的影響，發(fā)現(xiàn)當(dāng)退火溫度為750℃時(shí)器件性能最佳，進(jìn)一步提高退火溫度使得MgInSnO薄膜由非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)，器件性能明顯下降;退火氧氣流量為400SCCM時(shí)器

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