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  • <em>ga</em>1背景文件(修)(<em>2</em>)4

    <em>ga</em>1背景文件(修)(<em>2</em>) ga1背景文件(修)(2)（4頁）

    聯合國大會裁軍及國際安全委員會核安全高級別會議聯合國大會裁軍及國際安全委員會核安全高級別會議UNITEDNATIONSGENERALASSEMBLY1STHIGHLEVELMEETINGOFNUCLEARSAFETY議題全球核安全與核裁軍問題背景文件背景文件一、一、委員會介紹根據聯合國憲章的規(guī)定，大會有權討...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-13 / 4人氣

  • (In,<em>Ga</em>)<em>2</em>Se3納米晶溶液合成及其黃銅礦Cu(In,<em>Ga</em>)Se<em>2</em>成相應用.pdf66

    (In,<em>Ga</em>)<em>2</em>Se3納米晶溶液合成及其黃銅礦Cu(In,<em>Ga</em>)Se<em>2</em>成相應用.pdf (In,Ga)2Se3納米晶溶液合成及其黃銅礦Cu(In,Ga)Se2成相應用.pdf（66頁）

    IN2SE3，GA2SE3以及INGA2SE3屬于ⅢⅥ族化合物，可以表現出多種相變和不同的晶體結構，并且由于其具有獨特的光電性能，所以在電子、光電設備上得到廣泛應用，如記憶儲存器，可見光傳感器。不僅如此，它們還可以應用于太陽能光吸收層薄膜CUINSE2，CUGASE2和CUIN1XGAXSE...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 披血男巫 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣

  • <em>ga</em>-<em>2</em>-006緊急應變管理辦法4

    <em>ga</em>-<em>2</em>-006緊急應變管理辦法 ga-2-006緊急應變管理辦法（4頁）

    延陵精密電子延陵精密電子昆山昆山有限公司有限公司緊急應變管理辦法緊急應變管理辦法文件編號GA2006版本第1版頁數共3頁制訂日期2005年07月19日修訂日期年月日延陵精密電子（昆山）有限公司文件編號制訂部門管理部GA2006緊急應變管理辦法頁次234培養(yǎng)多面手。1非計劃...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-07 / 2人氣

  • 阿特拉斯<em>ga</em>15.<em>ga</em>18.<em>ga</em>22說明書92
  • β-<em>Ga</em><em>2</em>O3薄膜制備與表征.pdf81

    β-<em>Ga</em><em>2</em>O3薄膜制備與表征.pdf β-Ga2O3薄膜制備與表征.pdf（81頁）

    Β型氧化鎵是直接寬禁帶透明氧化物材料，在可見光區(qū)到紫外光區(qū)有很高的透光率，其禁帶寬度在49EV左右，具有良好的物理化學穩(wěn)定性。氧化鎵已經在氣敏探測器、紫外光探測器、電致發(fā)光等器件上得到了應用。由于氧化鎵在禁帶寬度上的優(yōu)勢，它在功率器件方面也有很大的發(fā)...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 喻言 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 2人氣

  • <em>ga</em>-<em>2</em>-003司機與車輛管理辦法5

    <em>ga</em>-<em>2</em>-003司機與車輛管理辦法 ga-2-003司機與車輛管理辦法（5頁）

    延陵精密電子延陵精密電子昆山昆山有限公司有限公司司機與車輛管理辦法司機與車輛管理辦法文件編號GA2003版本第1版頁數共4頁制訂日期2005年07月07日修訂日期年月日延陵精密電子昆山有限公司文件編號制訂部門管理單位GA2003司機與車輛管理辦法頁次24523車輛使用人應按...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-14 / 6人氣

  • <em>Ga</em><em>2</em>O3材料的制備及其性能研究.pdf67

    <em>Ga</em><em>2</em>O3材料的制備及其性能研究.pdf Ga2O3材料的制備及其性能研究.pdf（67頁）

    GA2O3是一種寬禁帶化合物半導體材料。除了優(yōu)異光電特性外，GA2O3材料還具有良好的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性。其中，單斜晶系的GA2O3薄膜在深紫外區(qū)域高度透明，其透過率能達到80％以上，具有制備深紫外透明導電薄膜的天然優(yōu)勢。同時，GA2O3材料還表現出良好的氣敏特性，...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 愛意在夜里彌漫 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 16人氣

  • 黃瓜赤霉素氧化酶基因<em>GA</em>20ox、<em>Ga</em><em>2</em>ox、<em>Ga</em>3ox的生物信息學及<em>GA</em>20ox1功能分析.pdf62

    黃瓜赤霉素氧化酶基因<em>GA</em>20ox、<em>Ga</em><em>2</em>ox、<em>Ga</em>3ox的生物信息學及<em>GA</em>20ox1功能分析.pdf 黃瓜赤霉素氧化酶基因GA20ox、Ga2ox、Ga3ox的生物信息學及GA20ox1功能分析.pdf（62頁）

    關于學位論文原創(chuàng)性和使用授權的聲明本人所呈交的學位論文，是在導師指導下，獨立進行科學研究所取得的成果。對在論文研究期間給予指導、幫助和做出重要貢獻的個人或集體，均在文中明確說明。本聲明的法律責任由本人承擔。本人完全了解山東農業(yè)大學有關保留和使用學...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 為往事干杯 / 發(fā)布時間：2024-03-03 / 3人氣

  • 番茄<em>GA</em>20-氧化酶和<em>GA</em><em>2</em>-氧化酶基因的克隆與功能分析.pdf104

    番茄<em>GA</em>20-氧化酶和<em>GA</em><em>2</em>-氧化酶基因的克隆與功能分析.pdf 番茄GA20-氧化酶和GA2-氧化酶基因的克隆與功能分析.pdf（104頁）

    華中農業(yè)大學博士學位論文番茄GA20氧化酶和GA2氧化酶基因的克隆與功能分析姓名肖景華申請學位級別博士專業(yè)蔬菜學指導教師葉志彪20061101華中農業(yè)人學2006屆博T學位論文各種組織器官中呈組成型表達，但不同組織的表達水平有差異。3．構建了GA20．OXIDASC和GA2OXIDASE2...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 倦人歸 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 42人氣

  • <em>ga</em> 53-201511

    <em>ga</em> 53-2015 ga 53-2015（11頁）

    ICS7110030A31GA中華人民共和國公共安全行業(yè)標準GA532015代替GA531993爆破作業(yè)人員資格條件和管理要求QUALIFICATIONSMANAGEMENTREQUIREMENTSFBLASTINGPERSONNEL20151113發(fā)布20160101實施中華人民共和國公安部發(fā)布GA5320151爆破作業(yè)人員資格條件和管理要求1范圍本標準...

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  • <em>ga</em>581.8-20054

    <em>ga</em>581.8-2005 ga581.8-2005（4頁）

    ICS3524099R85日11中華人民共和國公共安全行業(yè)標準GA581158192005機動車駕駛證管理信息代碼CODEOFDRIVINGLICENSEMANAGEMENTINFORMATION20051213發(fā)布20060301實施中華人民共和國公安部發(fā)布WGA58182005前言本部分的全部技術內容為強制性GA581機動車駕駛證管理信息代碼...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-13 / 9人氣

  • 氨化Si基<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3--Mo薄膜制備一維GaN和<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3-納米結構的研究.pdf84

    氨化Si基<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3--Mo薄膜制備一維GaN和<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3-納米結構的研究.pdf 氨化Si基Ga-,2-O-,3--Mo薄膜制備一維GaN和Ga-,2-O-,3-納米結構的研究.pdf（84頁）

    本文采用氨化磁控濺射不同中間層厚度的GA2O3MO薄膜的方法在硅襯底上合成了GAN和GA2O3納米結構。對其結構、形貌、組分和發(fā)光特性進行了深入的分析和研究，并對其發(fā)光機制和生長機制進行了初步探索，研究了不同生長條件對制備GAN和GA2O3納米結構的影響。所取得的主要研...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 透明 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 4人氣

  • <em>ga</em>466-200432

    <em>ga</em>466-2004 ga466-2004（32頁）

    GA4662004月U青本標準的全部技術內容為強制性。本標準由中華人民共和國公安部裝備財務局提出。本標準由公安部特種警用裝備標準化技術委員會歸口。本標準起草單位公安部裝備財務局被裝處、總后軍需生產技術研究所、安徽省8503工廠本標準主要起草人孫長林、于開林、張...

    下載價格：8 賞幣 / 發(fā)布人： 畢業(yè)設計 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 10人氣

  • GeS<em>2</em>-<em>Ga</em><em>2</em>S3-Li<em>2</em>S玻璃制備及非線性光學性能研究.pdf61

    GeS<em>2</em>-<em>Ga</em><em>2</em>S3-Li<em>2</em>S玻璃制備及非線性光學性能研究.pdf GeS2-Ga2S3-Li2S玻璃制備及非線性光學性能研究.pdf（61頁）

    非線性光學材料在光通訊、光調制、光存儲等方面有著非常廣闊的應用。硫系微晶玻璃因低的聲子能、很寬的紅外透過波段、易制備和加工、較大的二階非線性光學系數等優(yōu)點，使之成為一種頗具應用潛力的二階非線性光學材料。本文采用傳統(tǒng)的融熔淬冷法制備了GES2GA2S3LI2S體...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 燈影 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 10人氣

  • β-<em>Ga</em><em>2</em>O3單晶的生長、加工及性能研究.pdf183

    β-<em>Ga</em><em>2</em>O3單晶的生長、加工及性能研究.pdf β-Ga2O3單晶的生長、加工及性能研究.pdf（183頁）

    作為新型的半導體材料，ΒGA2O3研究仍處于初期階段，晶體質量、基本物理性能、半導體性能優(yōu)化、器件及應用方面仍有待系統(tǒng)研究。高質量單晶材料的研制是ΒGA2O3后期應用的前提，本論文以高質量ΒGA2O3單晶的生長為核心，以滿足器件要求為目標。對晶體生長方法選取及設...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 溫柔輕撫的風 / 發(fā)布時間：2024-03-08 / 9人氣

  • 基于<em>2</em>BP<em>2</em><em>GA</em>算法的混合內存系統(tǒng)多目標優(yōu)化研究.pdf90

    基于<em>2</em>BP<em>2</em><em>GA</em>算法的混合內存系統(tǒng)多目標優(yōu)化研究.pdf 基于2BP2GA算法的混合內存系統(tǒng)多目標優(yōu)化研究.pdf（90頁）

    目前，綠色節(jié)能已經成為了越來越熱門的研究方向。在計算機領域，已經有很多針對CPU等部件節(jié)約能耗的研究。存儲器作為計算機系統(tǒng)的主要部件之一，其能耗占據了整個計算機系統(tǒng)能耗的三分之一以上，而且隨著其他部件節(jié)能研究的逐步發(fā)展，該占比還在逐步提升，因此，研究...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 眺望遠方 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 4人氣

  • CuMS<em>2</em>(M=In,<em>Ga</em>)薄膜的制備、摻雜及光學特性.pdf55

    CuMS<em>2</em>(M=In,<em>Ga</em>)薄膜的制備、摻雜及光學特性.pdf CuMS2(M=In,Ga)薄膜的制備、摻雜及光學特性.pdf（55頁）

    采用直流磁控濺射法制備CUGA合金預制層，然后在固態(tài)硫的氣氛中退火，成功的制備出了CUGAS2薄膜。濺射功率分別為15、30、45、60、80和100W的條件進行實驗，最終在30W下制備的CUGA合金薄膜原子比符合化學計量比。CUGA合金薄膜在450、500、550和600℃的條件下分別進行硫...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 輕喃 / 發(fā)布時間：2024-03-09 / 4人氣

  • CuInSe<em>2</em>-Cu(In,<em>Ga</em>)Se<em>2</em>薄膜的電沉積制備及其性能.pdf55

    CuInSe<em>2</em>-Cu(In,<em>Ga</em>)Se<em>2</em>薄膜的電沉積制備及其性能.pdf CuInSe2-Cu(In,Ga)Se2薄膜的電沉積制備及其性能.pdf（55頁）

    太陽能是一種清潔、環(huán)保的可再生能源，把太陽能轉化為電能將使人類徹底解決能源問題。CIS系太陽能電池具有光電轉換效率高，性能穩(wěn)定等諸多優(yōu)點，因此CIS系薄膜太陽能電池是最具大規(guī)模應用前景的太陽能電池之一。但三十多年來的研究并沒有帶來CIS系太陽能電池的大規(guī)模...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 惻隱 / 發(fā)布時間：2024-03-10 / 7人氣

  • dy3摻ges<em>2</em><em>ga</em><em>2</em>s3cdi<em>2</em>玻璃光纖的制備及性能研究64

    dy3摻ges<em>2</em><em>ga</em><em>2</em>s3cdi<em>2</em>玻璃光纖的制備及性能研究 dy3摻ges2ga2s3cdi2玻璃光纖的制備及性能研究（64頁）

    （申請工學碩士學位論文）DY3摻GES2GA2S3CDI2玻璃光纖玻璃光纖的制備及的制備及性能研究性能研究培養(yǎng)單位材料科學與工程學院位材料科學與工程學院學科專業(yè)材料學業(yè)材料學研究生生王子軒王子軒指導教師師顧少軒顧少軒教授教授副指導教副指導教師郭海濤師郭海濤副研究...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 翻譯員 / 發(fā)布時間：2024-03-12 / 7人氣

  • 氨化Si基<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3--Ti和<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3--TiO-,<em>2</em>-薄膜制備一維GaN納米結構研究.pdf69

    氨化Si基<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3--Ti和<em>Ga</em>-,<em>2</em>-O-,3--TiO-,<em>2</em>-薄膜制備一維GaN納米結構研究.pdf 氨化Si基Ga-,2-O-,3--Ti和Ga-,2-O-,3--TiO-,2-薄膜制備一維GaN納米結構研究.pdf（69頁）

    本文采用氨化磁控濺射GAOTI和GAOTIO薄膜的方法在硅襯底上合成了GAN納米結構通過研究不同生長條件對制備GAN納米結構的影響初步提出并探討了此方法合成GAN納米結構的生長機制我們首先利用磁控濺射系統(tǒng)在SI襯底上制備TI薄膜然后將樣品在氨氣氣氛中退火用X射線衍射XRD和...

    下載價格：5 賞幣 / 發(fā)布人： 聽聞X先生 / 發(fā)布時間：2024-03-11 / 10人氣

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