微柱陣列型拓撲基底對SH-SY5Y細胞VGCC功能響應性影響及其機制的初步探究.pdf

1、為探究微柱陣列型拓撲基底用于調控細胞VGCC功能響應性的可行性，為以VGCC為靶標的新型藥物篩選平臺的構建提供必要的理論支撐。本文利用微加工技術制備了直徑為2μm和4μm，間距為2μm和7μm，高度為4μm的PLLA微柱陣列基底，利用掃描電子顯微技術與熒光定量技術研究了微柱陣列基底對SH-SY5Y細胞形態(tài)、骨架與粘著斑蛋白的影響，利用MTS研究了SH-SY5Y細胞在微柱陣列基底上的增殖活性，結合鈣離子染料Calcium Green-1A

2、M與激光共聚焦技術研究了微柱陣列基底對SH-SY5Y細胞VGCC功能響應性的影響，利用qPCR技術與熒光定量技術研究了VGCC在mRNA層次與蛋白層次的表達在VGCC功能響應微柱陣列基底中的作用，改進了TMRM法測定細胞膜電位的方法并研究了細胞膜電位在VGCC功能響應微柱陣列基底中的作用。
　　研究結果顯示，微柱陣列基底對SH-SY5Y細胞的形態(tài)具有非常顯著的影響，當細胞在小而密的微柱上時，細胞傾向于浮于微柱頂部生長，細胞圓度較大

3、，隨著微柱間距的增大，細胞陷于微柱中，粗的微柱阻礙細胞鋪展，而細的微柱為細胞提供了黏附點，促進細胞鋪展，甚至有微柱刺入細胞質或細胞核中，然而這種細胞形態(tài)的變化并沒有對細胞增殖產生顯著影響。與細胞在平面基底上相比，在微柱基底上細胞粘著斑與骨架分布的典型特征是圍繞微柱或于微柱頂端集中表達，微柱的存在破壞了細胞骨架分布的有序性。SH-SY5Y細胞VGCC功能響應性在平面、2-2與2-7基底上差異顯著，這種變化趨勢與細胞鋪展面積變化趨勢存在一定

4、相關性，細胞鋪展面積越大，VGCC功能響應越強，然而這種VGCC功能響應性差異并不與VGCC通道表達差異所對應，在細胞鋪展面積大的基底上，VGCC通道的表達反而趨向于降低。本實驗改進了利用TMRM測定膜電位時，細胞核非特異性吸附的擬合方法，提高了計算精度。測量結果表明雖然微柱陣列基底對細胞膜電位具有顯著影響，但這種變化并不與VGCC功能響應性差異所對應。
　　實驗結果表明，利用微柱陣列基底調控細胞VGCC功能響應性是完全可行的，但