稀磁半導體隧道結GaN-Mn-AIN-GaN-Mn電導的第一性原理研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩47頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、GaN是一種性能優(yōu)良的Ⅲ-Ⅴ族寬禁帶半導體材料，被稱為第三代半導體材料的典型代表，其研究和應用備受矚目?；贕aN體系摻雜磁性雜質形成的稀磁半導體(DMS)由于其具有高于室溫的居里溫度且具有鐵磁性近年來備受人們的關注。為了便于應用，材料可以制成稀磁半導體隧道結的形式。
　　本論文采用第一性原理計算研究稀磁半導體隧道結GaN：Mn/AlN/GaN：Mn幾何結構、電子結構及電導特性。具體的研究結果如下：
　　(1)對于摻Mn的G

2、aN(0001)磁性材料的研究，上下自旋帶產生劈裂。在自旋向上的帶中Mn雜質帶穿越費米面，自旋向下的能帶未穿越費米面。表明Mn摻雜的GaN顯示出半金屬性，適合于自旋注入。
　　(2)對稀磁半導體隧道結GaN：Mn/AlN/GaN：Mn電導與勢壘層厚度的關系研究，結果表明電導隨勢壘層的厚度增加而降低。
　　(3)對稀磁半導體隧道結GaN：Mn/AlN/GaN：Mn電導隨雜質Mn原子的摻雜位置的關系研究，表明Mn原子摻雜在界面比

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論