低溫制備銀納米線及其電學性能的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、銀納米線(Ag NWs)由于具有高導電性、高透光性、耐曲饒性、高化學活性等特性，在太陽能電池、發(fā)光二極管、液晶顯示器、催化劑等方面存在巨大的應用前景。目前合成銀納米線的主要方法為水熱法，但使用水熱法合成銀納米線普遍存在一些問題，如水熱溫度高、產(chǎn)物形貌不均一等。論文采用超重力技術結合低溫水熱法合成銀納米線，并將其用于制備銀納米線薄膜和銀納米線/聚氨酯復合薄膜材料，研究制備工藝條件對銀納米線形貌結構，銀納米線薄膜材料電學和光學性能，以及銀納

2、米線/聚氨酯復合薄膜材料電學和光學性能的影響。論文主要結論如下。
　　以硝酸銀為銀源，檸檬酸鈉為還原劑，PVP、SDS為結構導向劑采用低溫水熱法合成了銀納米線。研究制備工藝條件對銀納米線形貌的影響，確定了適宜工藝條件為:水熱溫度為100℃;水熱時間4h;AgNO3的濃度為1mmol/L;PVP的濃度為6mmol/L;SDS的濃度為2mmol/L。制備得到了平均直徑為30nm，長徑比約500的銀納米線，產(chǎn)物中除了銀納米線外，還有較多

3、的銀納米顆粒。
　　采用超重力技術結合低溫水熱法制備了長徑比均一的銀納米線。研究制備工藝條件對銀納米線形貌的影響，確定了適宜工藝條件為:RPB溫度為80℃;RPB反應時間為0.5min;RPB轉速為1500r/min;水熱溫度為100℃;水熱時間2h;AgNO3的濃度為3mmol/L;PVP的濃度為18mmol/L;SDS的濃度為6mmol/L。制備得到了平均直徑為30nm，長徑比約830的銀納米線。與單一采用水熱法的制備工藝相比

4、，結合超重力技術制備的銀納米線長徑比更高、形貌更均一，產(chǎn)物中銀納米顆粒較少，且水熱時間短，從4h縮短至2h。
　　采用旋涂法制備了銀納米線薄膜及銀納米線/聚氨酯復合薄膜材料。研究了旋涂工藝條件對兩種薄膜材料電學和光學性能的影響。當銀納米線濃度為1.5mg/mL、旋涂轉速為2000r/min、薄膜厚度為300nm時，制備得到了可見光透過率為80.7％，表面方阻為140Ω/□的銀納米線透明導電薄膜材料，與單一采用水熱法制備的銀納米線薄

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