小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的制備及其光電性能研究.pdf

1、近幾年，小分子半導(dǎo)體納米材料由于其不同于無機和高分子半導(dǎo)體材料的特殊的光電性能引起了廣泛的關(guān)注和研究。小分子種類繁多溶液化、低成本、可規(guī)?；庸さ闹苽溥^程使得其成為構(gòu)筑有機電子器件的理想材料。小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的光電性能與其形貌和尺寸密切聯(lián)系著。然而，制備形貌、尺寸可控的小分子納米結(jié)構(gòu)仍是個挑戰(zhàn)，對它們的光電性能研究也處于起步階段。因此，對小分子半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的可控制備及其光電性能的研究具有重要意義。本文對幾種小分子半導(dǎo)體材料納米結(jié)構(gòu)

2、的制備及其光電性能做了一些研究。
　　1.利用溶劑揮發(fā)制備了超長、尺寸均一的 NiOEP納米線?；诩{米線薄膜器件顯示了優(yōu)異的光探測器性能，最大開關(guān)比和光響應(yīng)度分別可達681和10.1 mA?W-1。
　　2.利用溶劑交換法制備了大尺寸、表面光滑的BPEA納米片。基于此納米片的器件顯示了優(yōu)異的光響應(yīng)性能，最大的開關(guān)比分別可達105。此外，納米片還顯示了明顯的光發(fā)射各向異性。
　　3.利用溶劑交換法制備了ADPI納米線。