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文檔簡(jiǎn)介
1、該文探索了用PLD法在硅襯底上生長(zhǎng)LiNbO<,3>薄膜.氧氣氛對(duì)生長(zhǎng)LN薄膜是必不可少的條件.氧氣壓強(qiáng)、襯底溫度、襯底和靶之間的距離以及激光的重復(fù)頻率對(duì)生長(zhǎng)LN薄膜有很大的影響,較低的氧氣壓強(qiáng)、較低的激光重復(fù)頻率和較高的襯底溫度會(huì)導(dǎo)致缺鋰相LiNb<,3>O<,8>的產(chǎn)生,而襯底和靶之間的距離影響薄膜的取向.通過(guò)對(duì)LN薄膜生長(zhǎng)條件的探索,找到了生長(zhǎng)C軸擇優(yōu)取向LN薄膜的優(yōu)化條件:氧氣氛壓強(qiáng)30PA,襯底溫度600℃,襯底和靶的距離4C
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