閃存的關鍵電路設計與優(yōu)化.pdf

1、近年來，快速閃存憑借優(yōu)異的性能，在電子信息領域得到了廣泛應用。隨著信息社會的發(fā)展，信息產(chǎn)業(yè)正朝著海量信息計算、存儲、傳輸?shù)姆较虬l(fā)展。這就要求快速閃存存儲技術向大規(guī)模、高速度、低功耗、低成本發(fā)展。
　　浮柵型存儲器的設計，隨著工藝特征尺寸的減小而面臨著挑戰(zhàn)。首先，低供電電壓增加了設計難度;第二，隨著存儲容量的增大，讀通路寄生效應更加顯著;第三，工藝漲落在所難免。這些問題都與存儲器外圍電路和讀通路的設計密切相關。因此，本文首先深入研究

2、了NORFLASH工作原理，重點設計了NORFLASH外圍電路，對讀通路進行設計、優(yōu)化，并設計了利用預設Trim值對抗工藝漲落的方法。本文的主要工作和成果如下:
　　1.深入研究了浮柵晶體管的工作原理，對NORFLASH的編程、擦除算法進行了詳細闡述。
　　2.設計了幾種外圍關鍵電路，包括:(1)兩款基準電壓源，一款是曲率補償?shù)母呔然鶞孰妷涸矗硪豢钍强构に嚌q落的待機狀態(tài)下的基準電壓源;(2)一種瞬態(tài)響應增強型VDC電路;