高壓大電流碳化硅MOSFET串并聯(lián)模塊.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、碳化硅(SiC) MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，其性能在高溫、高頻、高功率密度的應用場合具有優(yōu)于硅基功率半導體器件。然而，由于碳化硅晶元生長和SiC MOSFET制造工藝的限制，現(xiàn)在商用SiC MOSFET電流電壓等級一般為1200V/40A。為了實現(xiàn)SiC MOSFET在中大功率場合的應用，需要將SiCMOSFET串并聯(lián)以提高電壓和電流能力。
　　本文分析了各種已發(fā)表的用于功率器件串聯(lián)的方案，比較了這些方案的優(yōu)缺點，

2、并在此基礎(chǔ)上提出了一種新型串聯(lián)拓撲，該拓撲可以實現(xiàn)對多個功率器件的串聯(lián)而僅需單個外部驅(qū)動。同時，為了提高電路的電流能力，采用兩組SiCMOSFET并聯(lián)。分析了此串并聯(lián)電路的工作原理和闡述了其設計要點。通過六個1200V/40ASiC MOSFET三管串聯(lián)兩管并聯(lián)實現(xiàn)了3600V/80ASiC MOSFET分立元件級電路結(jié)構(gòu)，并對其開關(guān)速度和損耗進行了分析。
　　為了將3600V/80ASiC MOSFET串并聯(lián)電路在模塊層面加以實

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