Eu3+摻雜Ⅱ-Ⅵ族半導體納米晶的合成及其表面修飾.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、半導體納米材料具有非常特殊的光、電、磁等特性，這些材料在光電轉換、傳感、顯示、生物成像等領域都有著非常重要的作用。尤其是納米晶材料具有優(yōu)良的光學性質，可以應用于生物熒光標記，在生物學和醫(yī)學方面具有不可替代的作用。II-VI族納米晶是半導體納米材料中最重要的組成部分，包括CdTe，ZnS，CdSe，ZnO等。但是隨著科技水平的發(fā)展，人們對材料的要求越來越高，簡單的納米晶材料已經不能滿足人們的需求，因此出現(xiàn)了對納米晶材料的金屬摻雜、修飾，使

2、其表現(xiàn)出更多更優(yōu)異的性能。
　　本論文以II-VI族半導體納米晶為基體，制備稀土離子摻雜的納米晶材料并對其進行表面修飾，研究其發(fā)光性能，主要研究了以下幾個方面。第一，在水溶液中，采用水熱合成法制備了稀土離子銪摻雜CdTe納米晶，對各種影響發(fā)光的因素(pH值，摻雜濃度，反應時間)進行了研究探索，找到最佳合成條件，制備出發(fā)光性能良好且穩(wěn)定性高的納米晶，并對其進行了二氧化硅的殼層包覆，提高了其發(fā)光強度以及穩(wěn)定性。第二，水相中制備了稀土離

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