電聚合緩蝕劑對高純鋁箔電化學侵蝕行為影響研究.pdf

1、高純鋁箔的電化學侵蝕過程實際上涉及的是電化學池電極反應過程，而影響電化學池電極反應速率的變量主要有電極變量、外部變量、物質傳遞變量、電學變量以及溶液變量。本論文通過改變電極變量，分別以石墨和鈦合金作為對電極，采用腐蝕電池式侵蝕方式，研究了緩蝕劑對高純鋁箔電化學侵蝕行為的影響，以達到減小鋁箔減薄量和失重率、增大鋁箔抗彎折強度和比容的目的，并對電聚合緩蝕機理進行了研究，為完善鋁箔的電化學腐蝕工藝提供了理論基礎。
　　本文主要通過掃描電

2、子顯微鏡分析、能譜分析、紅外光譜分析、比容分析、質量損失及減薄量分析等方法對腐蝕箔樣品進行了分析表征，研究了硅烷偶聯(lián)劑及電聚合鄰氨基酚對高純鋁箔隧道孔生長規(guī)律的影響，并對兩類緩蝕劑的緩蝕效果進行了對比分析；同時研究了電極材料對高純鋁箔腐蝕電池式侵蝕過程電流密度、腐蝕箔隧道孔長度和密度，以及對電聚合鄰氨基酚緩蝕過程的影響。
　　研究了以石墨作為對電極體系下硅烷KH-550、KH-560以及鄰氨基酚對高純鋁箔腐蝕電池式侵蝕行為的影響，

3、并從腐蝕箔隧道孔長度、密度、比容以及彎折強度等方面來分析比較三種緩蝕劑的緩蝕效果。結果顯示KH-550、KH-560及鄰氨基酚分別作為緩蝕劑時，腐蝕箔比容分別增加了7.14％、17.50%、26.19%，而彎折強度分別增加了21.90%、35.25%、46.67%。另外，鄰氨基酚作為緩蝕劑時隧道孔密度和長度均比硅烷偶聯(lián)劑作為緩蝕劑時的效果好。
　　研究了以鈦合金作為對電極對高純鋁箔腐蝕電池式侵蝕行為的影響，主要包括對電極材料對高純

4、鋁箔腐蝕電池式侵蝕電流密度、隧道孔長度和密度的影響，以及對電極材料對電聚合鄰氨基酚緩蝕過程的影響。實驗結果顯示：一，以鈦合金作為對電極時，得到的腐蝕箔的隧道孔密度和長度均有一定程度增加，并且隧道孔分布更加均勻；鈦合金對電極之間距離對腐蝕箔的隧道孔長度和密度有明顯影響，當電極間距離為2 cm時，腐蝕箔隧道孔密度非常大，隧道孔長度也較長，但是鋁箔表面腐蝕較嚴重，并孔團簇現(xiàn)象嚴重，隨著對電極間距離的不斷增加，鋁箔表面嚴重腐蝕、并孔團簇現(xiàn)象有一

5、定的改善，腐蝕箔隧道孔長度和密度也有不同程度的減小，當對電極間距離增加到8 cm時，腐蝕箔隧道孔密度很大，但是隧道孔僅僅停留在腐蝕箔表面，沒有向縱深處繼續(xù)生長，隧道孔長度非常短，因此，鈦合金對電極間距離不宜過大或過?。欢?，當鈦合金作為對電極時的腐蝕電流密度高于石墨作為對電極時的電流密度；當鋁箔腐蝕電池式侵蝕時間為10s時，即侵蝕反應剛開始時，腐蝕電流密度最大，隨著反應時間的增加，腐蝕電流密度逐漸減?。粚﹄姌O之間距離對高純鋁箔腐蝕電池式侵