高功率容量電容式RFMEMS開關失效機理研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩81頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內容提供方，若內容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、電容式RF MEMS開關在處理30dBm以上功率的信號時，會發(fā)生自驅動、自鎖和自熱現象，導致開關失效，限制了它在通信系統中的應用。為了設計高功率容量的電容式RF MEMS開關，必須對上述三種失效模式進行失效機理分析，建立相應的高保真閾值功率解析模型或失效行為模型，為開關的可靠性設計奠定理論基礎。
　　針對膜片的邊緣場效應對開關自驅動閾值功率解析模型精度的影響，論文構建了一個優(yōu)值來表征邊緣場效應的強度，進而構建了計及邊緣場效應的開關

2、自驅動閾值功率模型，提高了模型的計算精度。
　　針對 down態(tài)電容退化對開關自鎖閾值功率解析模型精度的影響，論文提出了“3D電磁-等效電路仿真對比建模”的方法，確定了任一開關的介電層表面粗糙度與開關down態(tài)電容退化的函數關系。進而對簡化的(介電層光滑)開關自鎖失效閾值功率模型進行了修訂，可擴展用于預測介電層粗糙開關的功率容量。
　　為了建立完整的開關自熱失效行為模型，論文提出了“電磁-熱-應力”的多物理場協同仿真方法，描

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網頁內容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容，請與我們聯系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論