導(dǎo)電聚合物P3HT的納米島和線的光調(diào)制電荷轉(zhuǎn)移的研究.pdf

1、聚合物太陽(yáng)能電池，因?yàn)橹苽涔に嚭?jiǎn)單、成本較低、可制成柔性產(chǎn)品等特點(diǎn)，已經(jīng)成為現(xiàn)階段研究的重點(diǎn)，而對(duì)于其中最主要的部分----聚合物的研究也越來(lái)越多。論文圍繞聚合物P3HT展開研究，主要分析了基于P3HT的不同納米結(jié)構(gòu)的光電性質(zhì)，主要研究?jī)?nèi)容如下：
　　本文首先制備了兩種P3HT的納米結(jié)構(gòu)，分別是：納米島和納米纖維。用原子力顯微鏡分析這兩種納米結(jié)構(gòu)的形貌特征，研究不同形貌特征下分子排列的情況，統(tǒng)計(jì)分析了不同納米結(jié)構(gòu)的高度信息，得到如

2、下結(jié)論：納米島是層狀結(jié)構(gòu)，且每一層的高度近似等于P3HT單分子層的高度（約1.5~1.6 nm）；納米纖維的高度也近似等于單層分子的高度，但是納米纖維在自組裝的過程中可能會(huì)扭曲或折疊。所以納米島和納米纖維存在相似與不同之處。進(jìn)而，用拉曼光譜來(lái)深入分析這兩種納米結(jié)構(gòu)的結(jié)晶性能，拉曼光譜不同的峰值高度可以代表分子中鍵能的強(qiáng)弱，不同峰值高度的比值可以代表聚合物結(jié)晶的程度，對(duì)比納米島和納米纖維的拉曼光譜中碳碳單鍵和碳碳雙鍵的強(qiáng)度比值，可以得知納

3、米島的比值大于納米纖維，所以其結(jié)晶性也好于納米纖維。最后，用掃描靜電勢(shì)顯微鏡（SKPM）和靜電力顯微鏡（EFM）來(lái)研究光照對(duì)納米島和納米纖維的表面電勢(shì)和表面電荷的影響。對(duì)比研究有無(wú)光照條件下表面電勢(shì)的變化，可以得到光照對(duì)納米島和納米纖維的表面電勢(shì)的增加起正面作用。對(duì)比研究光照下樣品表面電荷量的變化，結(jié)果表明，由于光照作用納米島和納米纖維的電荷量的增量分別為24％和15%。從結(jié)果中可以知道，雖然光照下這兩種納米結(jié)構(gòu)的電荷增量不同，但是變化