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文檔簡介
1、SiC材料是公認的高溫半導體材料,在高溫MEMS器件領域得到了越來越多的重視和應用。目前,針對其微尺度力學性能的研究已經取得了一定程度的進展,但仍未形成統(tǒng)一的力學參數標準,更是缺乏對高溫環(huán)境下溫度特性的研究。本文基于諧振法測量的原理,建立了基于組合懸臂梁的理論模型,搭建了適用于不同溫度下的測試系統(tǒng),獲得了不同溫度下微尺度 SiC薄膜楊氏模量的力學參數,研究了其高溫下的溫度特性。具體包括以下幾個方面的內容:
1.基礎理論研究:推
2、導了微尺度薄膜材料楊氏模量的計算公式,分析了懸臂梁結構的設計準則,研究了膜厚對組合懸臂梁尺寸設計的影響,并通過仿真分析確定了懸臂梁結構的尺寸參數。
2.測試系統(tǒng)搭建:關鍵在于高溫環(huán)境的實現(xiàn)、高溫環(huán)境下的激勵及其檢測。以MCH陶瓷加熱片作為加熱元件,K型熱電偶作為溫度傳感元件,并利用紅外測溫儀測量實際溫度,實現(xiàn)高溫實驗環(huán)境;采用機械激振器實現(xiàn)懸臂梁結構的激勵;利用Polytec激光測振儀對振動頻率進行檢測。
3.測試系
3、統(tǒng)驗證:對單晶硅[100]晶向的楊氏模量進行了測量。常溫下的實驗結果為132.5GPa,與文獻值(129.5GPa)的誤差為2.3%,驗證了系統(tǒng)的可行性。對其不同溫度下的楊氏模量值進行了測量。
4.力學參數測試:對SiC薄膜楊氏模量的溫度特性進行了研究。SiC樣片的膜厚分別為5.3μm和7.9μm,常溫下的實驗結果分別為322.9±29.1GPa和345.5±40.8GPa。獲得了微尺度SiC薄膜不同溫度下的楊氏模量值,實驗結
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