用于有機發(fā)光二極管中的導電聚苯胺-ITO電極的制備與研究.pdf

1、本文介紹了OLED的發(fā)光原理及性能評價指標、簡述了ITO透明電極以及導電聚苯胺修飾ITO透明電極，綜述了導電聚苯胺的基本結構特征、合成技術及應用，簡要總結了PANI/ITO復合電極在OLED器件中應用與意義。采用溶膠凝膠(sol-gel)法制備了ITO溶膠，并采用旋涂技術在透明玻璃上制備了透明的ITO導電薄膜;用電化學聚合技術制備了PANI/ITO復合電極;通過旋涂和蒸鍍沉積將有機發(fā)光材料沉積于PANI/ITO復合電極表面制成OLED器

2、件。通過用Raman、UV-Vis-NIR光譜分別研究了ITO旋涂膜的組成和透光性，用XRD研究了ITO旋涂膜試樣燒結熱處理溫度對其結晶性的影響，用AFM觀測了試樣表面相貌，用四探針測量表面面電阻，用Raman、SEM和四探針研究苯胺單體在ITO表面的聚合反應，用亮度計考察了制備得到的OLED器件的發(fā)光性能，得到主要結論如下:
　　(1)溶膠凝膠法制得的ITO膜層為立方鐵錳礦結構的In2O3和SnOx的混合物，膜層光滑平整，透光率

3、在70％以上，多次甩膜后樣品方塊電阻達到數(shù)百歐姆。相同涂敷層數(shù)下燒結溫度高的薄膜方電阻小;相同燒結溫度下，涂敷層厚度增加其方電阻變小。
　　(2)熱處理溫度為300℃時樣品XRD衍射峰與基本銦錫氧化物衍射峰一致，500℃熱處理所得樣品晶粒尺寸有所增加，晶型結構更加完全。
　　(3)在ITO電極表面，苯胺循環(huán)伏安電聚合行為電位掃描速率和循環(huán)次數(shù)增加，對應的氧化-還原峰電位差增加，PANI氧化還原可逆性變差;恒電位聚合過程中，苯

4、胺單體濃度對其在ITO表面聚的合誘導期有顯著影響，聚合電位低于0.8V時，苯胺在ITO電極表面難以聚合，聚合電位高于1.0V時，PANI在ITO電極表面會發(fā)生過氧化和降解。
　　(4)制備得到ITO/PANUAlq3/Al結構的有機電致發(fā)光器件，發(fā)現(xiàn)引入PANI能有效提高器件各性能，PANI濃度為4mg·mL-1(12nm)時性能達到最優(yōu)，原因在于PANI插入有效將低了空穴的注入勢壘，同時將電子阻擋在發(fā)光層，提高了載流子的復合率。