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1、本文采用射頻磁控濺射在單晶Si襯底上制備ZnO薄膜，研究了不同襯底溫度對(duì)ZnO薄膜形貌、結(jié)晶和發(fā)光等物性的影響。研究表明：利用射頻磁控濺射法沉積了一系列氧化鋅薄膜，保持其他生長(zhǎng)參數(shù)不變，調(diào)節(jié)改變襯底溫度分別為室溫、100℃、200℃、300℃、400℃和500℃。使用原子力顯微鏡表征了氧化鋅薄膜的表面形貌，在中間溫區(qū)200℃和300℃時(shí)沉積的氧化鋅薄膜最光滑，成膜均勻致密，表面粗糙度較小。使用X射線(xiàn)衍射表征分析氧化鋅薄膜的結(jié)晶性質(zhì)，隨著
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