非晶帶GMI和AGMI效應及基于三維磁傳感器的空間姿態(tài)檢測儀研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、在現代測量技術中,通過磁場能測定很多物理量,磁傳感器技術的提高在一定程度上能推動測量技術的發(fā)展,而弱磁場及微弱磁場的測量技術在很大程度反映了磁傳感器的發(fā)展水平。本文研究了基于巨磁阻抗(GMI)效應的弱磁傳感器,該傳感器在室溫下,對弱磁場具有極高的靈敏度,在電子測量領域具有廣闊的應用前景。在GMI效應弱磁傳感器研究的基礎上,本文根據地磁場的矢量性進一步設計了空間姿態(tài)檢測儀,實現了GMI效應的一種應用。
  首先本文分別對GMI和非對

2、稱巨磁阻抗(AGMI)效應進行了研究,發(fā)現AGMI效應能有效改善GMI效應在零磁場附近的特性。通過查閱國內外相關文獻及研究成果,分析影響GMI效應的因素及產生AGMI效應的方法。通過實驗研究了激勵電流的頻率、幅值對GMI效應的影響及不同激勵方式下的GMI效應和AGMI效應。本文選擇脈沖電流退火的鈷基非晶帶為敏感材料,采用正弦波激勵,對GMI和AGMI效應進行了實驗研究,結果表明:在橫向激勵方式下,激勵電流頻率為4MHz,幅值為10mA時

3、,鈷基非晶帶既有較高的最大阻抗變化率,又有較大的阻抗磁靈敏度;非晶帶在通有一偏置直流的情況下,會出現AGMI效應,對GMI效應在零磁場附近的特性有一定改善;若采用正交激勵(同時有激勵電流流過非晶帶和繞于非晶帶上的線圈,兩者產生的磁場正交)的方式,同樣也能明顯改善GMI效應在零磁場附近的特性,且極大提高最大阻抗變化率和阻抗磁靈敏度;若采用正交激勵及直流偏置的方式,將產生明顯的AGMI效應,極大改善GMI效應在零磁場附近的特性,進一步提高最

4、大阻抗變化率和阻抗磁靈敏度。
  其次設計了單軸的鈷基非晶帶AGMI效應弱磁傳感器,它采用了正交激勵及直流偏置,信號處理電路包括高頻信號發(fā)生電路、自動增益控制(AGC)穩(wěn)幅電路、V/I轉換電路、放大電路、檢波電路、濾波電路及差動放大電路。對傳感器進行試驗標定及數據分析,所得傳感器性能指標:-1.0Oe~1.0Oe量程,靈敏度1.6704V/Oe,線性度1.78%FS,滿足了弱磁場的測量要求。
  最后設計了三軸正交激勵的GM

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