鈦合金電子束快速成形缺陷形成機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電子束快速成形技術(shù)(Electron Beam Freeform Fabrication—EBF3)是一種采用高能電子束作為熱源,熔化同步送進的絲材,逐層堆積制造出任意復(fù)雜形狀金屬零件的新型增材制造技術(shù)。國內(nèi)外鮮有關(guān)于電子束快速成形過程中缺陷機理方面的研究。本文以TC4鈦合金為研究對象,開展了電子束快速成形堆積體未熔合、氣孔缺陷的實驗和理論研究,探討了缺陷的形成機理。所取得的創(chuàng)新成果和工作如下:
  (1)根據(jù)實驗現(xiàn)象以及成形特點

2、,提出了EBF3工藝未熔合缺陷的四種形成模式。根據(jù)其中的相鄰沉積體間形成間隙的方式,建立了未熔合的傳熱、流動和自由界面演化耦合數(shù)學模型,動態(tài)模擬了未熔合的產(chǎn)生過程。對未熔合產(chǎn)生過程的溫度場、流動場和自由界面形貌進行了詳細分析,探討了未熔合缺陷形成機理。
  (2)通過光學顯微鏡、掃描電鏡和能譜成分分析,發(fā)現(xiàn)EBF3成形的鈦合金堆積體氣孔主要可分為三種類型。其中,內(nèi)壁光滑Ⅰ型氣孔呈規(guī)則圓球形,內(nèi)表面光滑,多位于熔合線附近。內(nèi)壁球狀組

3、織Ⅱ型氣孔具有大致光滑連續(xù)的球形邊緣,內(nèi)壁部分區(qū)域聚集直徑1μm到60μm的球狀組織。對氣孔進行微區(qū)成分分析,發(fā)現(xiàn)孔內(nèi)Al含量與基材相比減少了,氣孔內(nèi)表面Al元素的含量從6.00%降低到3.00%,在球形組織上僅為3.79%;而氣孔內(nèi)表面V的含量相比較基材的4.00%增加到12.06%,球形組織上 V的含量則降低到2.76%。內(nèi)壁不規(guī)則組織Ⅲ型氣孔粗大且形狀不規(guī)則,內(nèi)壁組織粗糙,呈撕裂狀。
  (3)提出了鈦合金堆積體氣孔的可能形

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