導(dǎo)納譜法研究有機(jī)半導(dǎo)體的界面陷阱自由能,前置因子和陷阱態(tài)密度.pdf

1、導(dǎo)納譜法是在不同邊界條件下，根據(jù)空間電荷限制電流理論，推導(dǎo)并建立的描述有機(jī)半導(dǎo)體傳輸機(jī)制的理論模型。本文用導(dǎo)納譜法來(lái)研究結(jié)構(gòu)相似的有機(jī)半導(dǎo)體厚度依賴的載流子遷移率、場(chǎng)依賴因子、陷阱態(tài)等內(nèi)容。對(duì)導(dǎo)納譜法的理論模型、場(chǎng)依賴因子、陷阱態(tài)的理論模型進(jìn)行較為深入的研究，最后通過(guò)有機(jī)半導(dǎo)體材料的器件實(shí)驗(yàn)完善這些理論模型。
　　主要的內(nèi)容如下：
　?。?）闡述導(dǎo)納譜學(xué)的方法、原理等，介紹了常用的載流子傳輸機(jī)制、遷移率模型，總結(jié)了無(wú)陷阱時(shí)單

2、載流子導(dǎo)納模型、載流子以指數(shù)形式分布下的單載流子導(dǎo)納模型、遷移率與載流子濃度有關(guān)時(shí)的導(dǎo)納模型、分析界面態(tài)下的導(dǎo)納模型，并將其應(yīng)用在遷移率、定域態(tài)、負(fù)電容方面。
　?。?）制備兩種有機(jī)半導(dǎo)體器件ITO/NPB（50nm-800nm）/Al，ITO/TPD（50nm-800nm）/Al，阻抗譜儀測(cè)量阻抗信息，并運(yùn)用粒子群算法獲得兩種有機(jī)材料的載流子遷移率與厚度之間的聯(lián)系。數(shù)據(jù)結(jié)果顯示，電荷載流子遷移率與厚度有關(guān)。有機(jī)半導(dǎo)體層厚度增加時(shí)

3、，遷移率也增加，到達(dá)600nm時(shí)，遷移率趨于穩(wěn)定值。通過(guò)AFM、XRD實(shí)驗(yàn)結(jié)果排除了薄膜表面形貌、結(jié)晶對(duì)遷移率的影響。從熱力學(xué)角度提出了界面陷阱自由能來(lái)解釋厚度依賴的載流子遷移率。
　?。?）影響遷移率的因素成分有很多，如載流子濃度、施加的電場(chǎng)強(qiáng)度、實(shí)驗(yàn)室溫度、氣壓、有機(jī)材料的分子取向和純度等。場(chǎng)依賴因子、零電場(chǎng)遷移率是經(jīng)驗(yàn)方程Poole-Frenkel(P-F)的重要參數(shù)。詳細(xì)描述場(chǎng)依賴因子的研究現(xiàn)狀，對(duì)Poole-Frenke