納米線-帶基復合結構LED研究.pdf

1、發(fā)光二極管(LED)的節(jié)能和高效使其在工業(yè)生產(chǎn)與日常生活中有重要的應用價值。然而，性能更加優(yōu)異的器件，特別是擁有更高外量子效率(EQE)，更低制作成本，更長使用壽命的LED依然在研制中。近年來，基于納米線/帶的LED逐漸成為研究熱點。半導體納米線/帶是一種尺度在亞微米量級，可實現(xiàn)可控摻雜和大規(guī)模生產(chǎn)的新型納米材料。與傳統(tǒng)基于半導體薄膜的LED相比，納米線/帶基LED由于其天然一維結構而有更高的光取出效率。而且，研究表明微納結構對光場的束

2、縛作用可以產(chǎn)生有重要物理意義的效應，例如，表面等離子體增強發(fā)光、極化激元復合輻射發(fā)光、壓電光電子學效應等。此外，研究微納尺度高效LED的一個重要目的在于將其應用到光通訊領域，如作為光芯片上的集成光源。因此，高性能納米線/帶基LED的研究尤為重要。本文將詳細深入研究兩種類型的高性能納米線/帶基LED，第一種是基于Ag納米線/p型GaN薄膜肖特基結的紫外LED，另一種是基于In摻雜CdS半導體納米帶/p型GaN薄膜p-n結型多色LED。本文

3、將系統(tǒng)描述材料的生長、器件的制備以及性能測試與分析，并對其中的物理過程做深入探討，主要包括以下內容:
　　1.第一章首先結合國內外研究現(xiàn)狀闡述了納米線/帶基LED的研究意義，包括其廣泛的應用前景和對基礎物理研究的指導意義，進一步說明了該領域已經(jīng)取得的研究進展和依然存在的不足之處。最后明確提出了本文的研究目的。
　　2.第二章詳細研究了實驗中使用的納米材料的生長制備過程。具體包括基于氣液固(VLS)方法的CdS半導體納米帶的制

4、備和基于熱溶劑法的Ag納米線的制備。詳細講述了生長納米材料的過程以及所用到的重要參數(shù)。
　　3.第三章研究了如何通過微納操作制作Ag納米線/p型GaN薄膜肖特基結LED并對器件的電學性能和光學性能進行測試。實驗結果證實了此種LED具有驅動電流低，制作成本低和EQE高等優(yōu)勢。進一步通過改變Ag納米線直徑來提高器件性能，在這個過程中，我們開展了基于散射截面計算的光學分析和器件的熱傳導過程仿真，并在理論和實驗上得到了實現(xiàn)最優(yōu)器件性能的A

5、g納米線的直徑參數(shù)。
　　4.第四章圍繞CdS納米帶/p型GaN薄膜p-n結型LED進行分析研究。詳細研究了器件的制備和性能表征。實驗上在連續(xù)電流注入下同時得到了CdS納米帶的黃綠色發(fā)光和GaN薄膜的藍紫色發(fā)光。并在實驗研究中首次發(fā)現(xiàn)了在多色LED中，GaN的發(fā)光強度以指數(shù)關系依賴于注入電流強度，而CdS的電致發(fā)光線性依賴于電流強度。本章通過理論分析證明了多色LED的輻射復合過程是器件的能帶結構和電場強度共同作用的結果，并進一步分