微波介電材料的電學性能表征方法研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、微波介電材料幾乎涉及所有的前沿學科,其應用早已滲透到國防、航空、醫(yī)療以及移動通訊等各個先進的技術領域,并逐漸發(fā)展成為現代科學技術進步不可或缺的支撐力量。本文探討了傳統(tǒng)的SiO2介電材料薄膜和新型高介電PMNT(鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛)微波介電材料薄膜在圓形電容器以及共面波導傳輸線測試結構模型中表現出的S參數、傳播常數γ、阻抗特性以及仿真瞬態(tài)電流分布等電學特性。主導思路是:首先,根據實驗原理,通過ADS平臺成功搭建了兩種測試結構的仿真模型,對實

2、驗提取到的S參數進行了幾組低頻、中高頻的仿真分析,其中,SiO2和PMNT薄膜的單端口S參數的反射系數S11仿真值與測量值在100kHz~10 MHz頻率段的最大誤差分別僅為0.0130102dB和0.0671578dB,雙端口S參數的反射系數S11仿真值與測量值在1GHz~6GHz頻率段的最大誤差分別僅為0.1548284dB和0.1383639dB,PMNT薄膜在共面波導傳輸線模型中表現出的γ的仿真值與測量值在1GHz~6GHz頻率

3、段的最大誤差也僅為2.9024085dB;其次,進一步研究了各個S參數對模型各層厚度在原尺寸大小的基礎上±0.01μm微調過程中作出的電學響應,為減小反射系數或提高傳輸性能提供了參考;最后,依次表征了仿真瞬態(tài)電流分布以及史密斯圓圖特性阻抗等電學響應。此外,本文的其他部分還淺析了不同前驅液原料對PMNT薄膜性能的影響、PMNT薄膜的基本制備工藝過程和界面開裂的誘因。
　　研究結果表明:單端口S參數表征技術和雙端口S參數表征技術適用于

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