基于NANDFLASH存儲器的BCH編解碼技術研究.pdf

1、隨著信息技術的快速發(fā)展，傳統(tǒng)SLC(單層存儲)架構的NAND Flash已經(jīng)遠遠滿足不了大容量、低成本存儲器的要求，而MLC(多層存儲)架構的NAND Flash憑借單位比特成本低、存儲密度高等優(yōu)點，被廣泛的應用在各種存儲系統(tǒng)當中。然而由于MLC架構NAND Flash的內部電壓的等級增多，在擦寫過程中發(fā)生位錯誤的概率增大，傳統(tǒng)的單比特糾錯碼——漢明碼已經(jīng)無法滿足糾錯需求。BCH碼因其構造簡單、編譯碼易實現(xiàn)、糾錯能力強、校驗碼更短等特點

2、，使其更適用于NAND Flash多比特位錯誤的糾錯，因此本文開展了對NAND Flash的BCH編解碼技術的研究。
　　依據(jù)NAND Flash的內部結構特點，設計了糾錯能力為每512bytes可以糾正8bits錯誤位的BCH碼。本文首先從BCH碼的理論基礎、構造方法等循序漸進的展開，針對BCH碼生成多項式在信息碼元較長時求解比較復雜和易出錯的問題，采用Matlab求解取代查表法來提高效率。選擇8位并行BCH編碼方式作為BCH編

3、碼器的硬件實現(xiàn)方法，既解決了串行BCH編碼器編碼速度慢且位數(shù)與NAND Flash不匹配的問題,同時也減少了編碼器中線性反饋移位寄存器電路的高扇出瓶頸。BCH譯碼器作為整個設計中算法最為復雜、占用邏輯資源最多的部分,本文在它的設計過程中應用了多種優(yōu)化設計手段。在提升譯碼速率的舉措方面，通過對伴隨式求解模塊和Chien搜索模塊采取并行處理的方式，節(jié)省了8倍的時間；除此之外，采用了二級流水線結構的分塊譯碼方式，使得一頁數(shù)據(jù)的譯碼時間大大縮短