納米級工藝下SRAM結構研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)作為最重要的存儲器之一，是現(xiàn)代SoC中關鍵部分，其功耗及穩(wěn)定性等各方面性能是整個芯片性能的關鍵因素。半導體工藝進入納米級以后，參數(shù)波動越來越大，漏電流功耗也越來越大，使得SRAM的設計在穩(wěn)定性、功耗等方面面臨新的問題。
　　 論文通過分析納米級工藝下集成電路設計面臨功耗及穩(wěn)定性方面的問題，進而對SRAM單元的功耗、穩(wěn)定性等方面進行了深入的研究與分析。介紹SRAM單元電路中降低功耗的門控電源機制、晶體管堆

2、疊機制、體偏置效應及使用FinFET晶體管方法的應用并比較其結果，并介紹分析SRAM結構穩(wěn)定性的指標靜態(tài)噪聲容限，增強單元電路穩(wěn)定性的動態(tài)電源機制以及幾種提高穩(wěn)定性的SRAM單元結構。論文分析了SRAM中動態(tài)功耗與靜態(tài)功耗的來源并通過仿真分析其大小，同時還分析了結構中噪聲的來源，介紹了蒙特卡羅分析法，并通過2000次蒙特卡羅仿真分析了噪聲對SRAM結構讀靜態(tài)噪聲容限的影響。
　　 論文通過對SRAM單元功耗、噪聲來源及改進思路的

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