模板—電沉積法制備一維納米材料.pdf

1、碩士學位論文模板一電沉積法制備一維納米材料TemplateElectrodepositiOnPreparationofOneDimensionalNanomaterials學號：21007206大連理工大學DalianUniversityofTechnology大連理工大學碩士學位論文摘要低維納米材料因量子效應而具有其獨特的化學物理性質，在介觀物理領域及構造納米器件方面有獨特的應用受到國內外的廣泛關注。研究表明，材料的性能與介觀結構密切

2、相關，通過設計材料的介觀結構可以增強和提高材料的性能?！白韵露稀钡姆椒梢詫崿F(xiàn)復雜介觀結構的設計，但受到材料合成、測試手段等限制，在材料形貌控制、成份優(yōu)化、結構調控等方面的研究還非常有限。本文提出一種新型的納米結構合成方法，以多孔陽極氧化鋁(PAA)為模板，采用電化學沉積方法制備了富Te—CdTe納米線、CdTe／Te超晶格納米線和PbTe、富Te—PbTe納米線。利用電化學工作站分析研究了納米線陣列的沉積參數(shù)；使用X射線衍射(XRD

3、)和x射線能譜(EDS)對納米線的成分進行分析；利用掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)對納米線進行形貌和結構表征；并用四探針面阻儀分析了納米線的電學性能。1以03mol／L草酸為電解液，40V電壓下，采用兩步陽極氧化法制備了孔徑為4060nm、孔密度為10Ⅲ10／cm2的多孔陽極氧化鋁(PAA)模板?？讖酱笮〗凭?，孔道筆直有序。模板背面噴金后，作為電沉積過程中的工作電極使用。2以自制PAA為模板，采用脈沖電化學沉積方

4、法，制備CdTeTe納米線陣列。通過電化學循環(huán)伏安(CV)曲線確定電沉積參數(shù)。研究了不同溶劑下制備的納米線陣列的成分、結構和形貌，研究表明：水溶劑下制備的納米線表面比較粗糙，缺陷較多；乙醇溶劑條件下制備的納米線陣列高度有序，表面光滑，直徑均一，且適量乙醇有助于納米線形成超晶格結構；在L醇／乙醇／水溶劑條件下，優(yōu)化沉積電位并合成出了致密均一、光滑的，直徑為50nm的CdTe／Te超晶格納米線陣列，通過調節(jié)電壓大小和改變脈沖沉積時間實現(xiàn)了納

5、米線陣列的成分和結構調控；1V特性曲線測試表明不同溶劑下制備的樣品的Iv曲線表現(xiàn)出不同的半導體接觸特性：水溶劑下制備的樣品表現(xiàn)出肖特基結性能，乙醇／水體積比為2／3時制備的樣品表現(xiàn)為歐姆接觸，乙醇／水體積比為1／4時制備的樣品與CdTe／Te超晶格結構的IV曲線形狀相似，且都為肖特基結結構。3以模板電化學沉積方法合成PbTe納米線陣列。利用CV曲線測試其沉積參數(shù)。用直流電沉積法，在03V電壓下制備了多晶PbTe納米線；用脈沖電沉積方法，