高功率單管半導體激光器封裝技術研究.pdf

1、封裝技術是高功率半導體激光器生產(chǎn)過程中的關鍵環(huán)節(jié)，封裝質(zhì)量直接影響著器件的參數(shù)特性、可靠性及工作壽命。為了提高激光器的散熱性能、降低封裝應力，進而提高封裝質(zhì)量，以976nm單管半導體激光器為研究對象，主要對半導體激光器封裝的散熱和熱應力問題進行了研究，主要工作如下：
　　1）采用ANSYS有限元軟件對器件進行了熱特性和應力分析，得到AlN陶瓷片厚度和二次焊接時InSn焊片厚度對器件溫度和應力分布的影響規(guī)律。
　　2）為獲得高

2、質(zhì)量的金錫焊料，對分層電鍍 AuS n的方法進行了研究，確定了鍍液組分和電鍍工藝條件，采用三層電鍍的方法制備出了厚度均勻，組分合適的金錫焊料。
　　3）為提高器件的散熱性能，研究了芯片腔長對器件結(jié)溫和可靠性的影響。腔長為4mm時器件結(jié)溫最低，僅有56.3℃；在熱沉溫度30℃條件下，4 mm腔長的激光器預計壽命可達2萬小時以上，10W單管激光器應選用4 mm作為芯片的腔長。
　　4）為了降低封裝應力，提出了一種通過測量激光器脈