瓦記錄磁盤數(shù)據(jù)組織方式設(shè)計與實現(xiàn).pdf_第1頁
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1、根據(jù)摩爾定律,磁存儲容量按照年60％的復(fù)合增長率遞增。然而,受到超順磁效應(yīng)的影響,存儲面密度無法超越1Tb/in2的限制。為了進一步提升磁存儲面密度,熱輔助記錄(heat-assistedrecording,HAMR)和晶格記錄(bitpatternedmedia,BPM)成為研究熱點。但是由于HAMR技術(shù)需要磁頭技術(shù)的突破,BPM技術(shù)需要磁介質(zhì)材料技術(shù)的突破,兩個技術(shù)都無法實用化。瓦存儲技術(shù)采用磁道堆疊的方式存儲數(shù)據(jù),不需要對磁頭和介

2、質(zhì)本身進行修正,就可以將存儲密度提高2-3倍,成為最有可能實用化的技術(shù)之一。然而瓦記錄由于采用覆蓋寫的技術(shù)而導(dǎo)致隨機寫性能嚴(yán)重衰減。如何解決此問題成為當(dāng)今研究的熱點。
　　采用日志方式修改地址映射邏輯,可有效的解決隨機寫性能衰減的問題。將瓦記錄磁盤劃分為很多存儲單元,當(dāng)一個存儲單元中的數(shù)據(jù)需要修改時,將修改追加到單元內(nèi)記錄的末尾;當(dāng)存儲單元的空間寫滿后,直接重新分配一個新的存儲單元,并將舊單元中的有效數(shù)據(jù)移動至新單元。存儲設(shè)備上的

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