考慮懸浮啞元的互連電路寄生電容提取算法研究.pdf

1、隨著集成電路信號頻率的提高和集成電路特征尺寸的減小，越來越多在集成電路發(fā)展初期影響甚微的物理效應逐漸成為制約集成電路性能提升的主要因素。作為其中的代表性因素，互連線寄生效應不僅會增加電路中的信號延遲，還會帶來信號完整性方面的問題，甚至會擾亂電路的邏輯功能，影響電路的正常工作。
　　與此同時，為解決化學機械拋光(CMP)工藝所帶來的芯片平整度問題，啞元填充(Dummy Fills)技術被越來越廣泛地使用。然而，電路中存在的大量啞元單

2、元不僅大幅增加了電路的寄生電容值，也向傳統(tǒng)的寄生電容提取算法提出了新的挑戰(zhàn)。如何快速而準確地提取含有大量啞元的電路寄生電容，已經成為計算機輔助設計領域中的重要問題，對于提高集成電路性能和成品率有著重要意義。
　　針對含啞元電路的寄生電容提取問題，本文提出了一種考慮懸浮啞元的結構化隨機行走寄生電容提取算法。本文首先利用區(qū)域分解技術，將電路中的啞元區(qū)域分離，并根據(jù)區(qū)域內部啞元單元的分配特點，對啞元區(qū)域進行再劃分;然后，對于再劃分后具有

3、標準幾何結構的子啞元區(qū)域，計算其馬爾可夫轉移矩陣（Markov Transition Matrix/MTM）;最后，本文提出了基于概率轉移的隨機行走算法，將傳統(tǒng)的階躍式隨機行走過程拆分為3個子過程——啞元區(qū)域內的概率轉移過程、啞元區(qū)域內的隨機行走過程和外部區(qū)域的隨機行走過程。
　　在計算電路的寄生電容矩陣時，本文方法不僅可以有效利用啞元陣列在幾何結構和單元分布上的特點，還可以通過對標準啞元結構建立宏模型，提高MTM計算結果的復用率