毫米波基片參數(shù)測量的理論與實驗研究.pdf

1、高度集成是當前實現(xiàn)通信、雷達、導航等系統(tǒng)小型化、輕量化和低成本的主要途徑之一。射頻前端通常是影響這些無線系統(tǒng)體積、成本、功耗等的主要因素。于是，平面集成成為射頻(載波可以在微波、毫米波或太赫茲頻段)系統(tǒng)的發(fā)展趨勢。介質基片是實現(xiàn)射頻系統(tǒng)平面集成的載體，其電磁參數(shù)，如介電常數(shù)、損耗角正切等，是影響射頻系統(tǒng)性能的重要因素之一。因此，研究介質基片在微波、毫米波以及太赫茲頻段的材料特性具有重要的意義。目前，廠家通常僅提供介質基片在10GHz以下

2、頻段的介電常數(shù)和損耗角正切等材料特性，在毫米波、太赫茲及以上頻段，人們對介質基片的電磁特性了解較少，也就難以預測這些頻率范圍內場與波在電路中所具有的行為特征?；趶S家提供的低頻時的參數(shù)設計毫米波或太赫茲頻段的電路，將產生很大的偏差。
　　基片集成波導(SIW)是近十多年來微波毫米波領域的一個關注熱點，以它為基礎的各類無源器件、電路、系統(tǒng)被充分發(fā)掘和研究。SIW諧振腔就是其中之一，它不僅具有波導腔體品質因數(shù)高、結構簡單的優(yōu)勢，而且便

3、于平面集成，是高頻率下平面電路基片測量的有效工具。本文的工作就是基于SIW諧振腔開展毫米波頻段基片參數(shù)測量方法的理論研究和實驗驗證。
　　在充分分析SIW諧振腔工作模式、諧振頻率與介電常數(shù)關系的基礎上，設計了測量與全波仿真相結合的介電常數(shù)提取方法；在分析SIW諧振腔場分布、損耗來源的基礎上，提出了利用多個腔分離介質損耗和導體損耗的原理和方法。實驗結果說明了方法的有效性和實用性。論文的主要內容如下：
　　1)作為SIW諧振腔的

4、測試端口，設計了一組普通金屬波導與SIW之間的寬帶轉接結構，頻率范圍為75GHz-105GHz，幾乎覆蓋了整個W波段。單個轉接結構相對帶寬約為15％，通帶內回波低于-15dB，一對轉接加中段SIW傳輸線的總插損小于1.2dB，性能超過文獻報道的類似結構的最好水平。
　　2)設計了普通金屬波導與基片集成同軸線(SICL)之間的寬帶轉接結構，頻率范圍為76.5GHz-92.2GHz，帶內回波低于-14.7dB，估計單個轉接結構插損小于

5、0.5dB。
　　3)提出了一種傳輸型諧振腔等效電路模型，在此基礎上設計了品質因數(shù)提取方法，與傳統(tǒng)的“3dB帶寬”方法和圓擬合方法相比具有更高的精度。
　　4)設計了75GHz-100GHz頻段的數(shù)十個SIW諧振腔單元，并制作了多個副本進行大量的測量和數(shù)據(jù)采集。提取了SIW諧振腔金屬化通孔的制作誤差，并以此為基礎建立了全波仿真模型。
　　5)將全波仿真結果與S參數(shù)測量結果相結合得到實介電常數(shù)隨頻率的變化曲線。結果顯示，