直拉硅單晶工藝參數(shù)對熱場的影響研究.pdf

1、進入21世紀以來，以半導體技術為基礎的計算機、通信技術等信息產業(yè)(IT)及以太陽能電池技術為主的光伏產業(yè)飛速發(fā)展，而硅單晶作為其重要的原材料，它生長技術的改進和突破是IT產業(yè)發(fā)展的基礎。直拉法(CZ)作為生產硅單晶的重要技術之一，在現(xiàn)代科學技術的應用中具有極其重要的地位。直拉法拉晶試驗是在高溫真空的環(huán)境下進行的，因此數(shù)值模擬在晶體生長的研究中十分必要。
　　在直拉法硅單晶技術的研究中，熱場一直是國內外研究的重點，它的好壞直接關系到

2、硅單晶的質量。在熱場的研究中，實驗法不僅費用十分昂貴而且很多數(shù)據(jù)測量十分困難，解析法的求解過程通常不具備普遍性，很多情況下是無法求解的，在月前的技術條件下，數(shù)值模擬是研究熱場的主要手段。大部分的數(shù)值模擬都是在確定的工藝參數(shù)下模擬熱場中的傳熱傳質，但是實際生長中，這些參數(shù)的設定往往都是依靠有經驗的工程師反復試驗才能確定的，因此提出了數(shù)值模擬基礎上的優(yōu)化設計。由于直拉硅單晶生長過程中的數(shù)學模型中包含很多相互耦合的偏微分方程，使得優(yōu)化模型的建