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文檔簡介
1、相比于傳統(tǒng)的CMOS電路,單電子晶體管(single electron transistor, SET)電路具有小尺寸和低功耗等優(yōu)點。當(dāng)前工藝下制備出來的SET已經(jīng)能在室溫下正常工作,同時,在制備工藝上,SET逐漸與CMOS兼容,更進(jìn)一步推進(jìn)了SETMOS混合邏輯向?qū)嵱没吔?。因此,本文分析研究了在室溫條件下SET的新特性,基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)設(shè)計了類偽NMOS邏輯和可重構(gòu)邏輯等,主要創(chuàng)新工作體現(xiàn)在:
1.改進(jìn)了SET的電
2、導(dǎo)分析模型,并基于改進(jìn)了的電導(dǎo)分析模型對其電導(dǎo)特性進(jìn)行了初步分析?;诖四P停覀儗牛?、源-漏的電導(dǎo)特性進(jìn)行了驗證,其結(jié)果與SET的I-V特性如庫侖振蕩、庫侖阻塞和庫侖臺階等完全相符。特別地,通過分析證明,該模型適用于0K< T≤300K下的SET。此外,我們還利用該電導(dǎo)分析模型對SET負(fù)微分電導(dǎo)進(jìn)行了驗證和初步分析。
2.提出了能量量子化條件下的SET分析模型,并對該模型進(jìn)行了驗證。從正則理論出發(fā),計算出室溫條件下SET
3、的臨界尺寸:存儲器件為6.9nm,邏輯器件為1.7nm;計算出SET室溫下發(fā)生能量量子化效應(yīng)的臨界尺寸:2.3nm??紤]到能量量子化帶來的副作用,從室溫下能正常工作的SET的制備已取得的成果中對避免能量量子化效應(yīng)提出了解決辦法:SETMOS混合邏輯。
3.設(shè)計了基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的類偽NMOS邏輯。從偽NMOS邏輯出發(fā),我們提出了基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的類偽NMOS邏輯,給出了它的一般結(jié)構(gòu),并通過仿真驗證了具有代表性的
4、3輸入混合下拉網(wǎng)絡(luò)類偽NMOS邏輯?;陬悅蜰MOS邏輯,我們設(shè)計了NAND門,NOR門以及n輸入混合PDN門,對上述邏輯門的功能、功耗、延遲、面積和電壓擺幅等功能性能問題進(jìn)行了研究,并與利用CMOS邏輯和純SET邏輯實現(xiàn)上述功能門在各個方面進(jìn)行詳實的比較。我們對類偽NMOS邏輯的多級電路以及多扇出電路的驅(qū)動能力進(jìn)行了研究,結(jié)果顯示類偽NMOS邏輯的驅(qū)動能力與預(yù)測一致,并能夠保持電壓擺幅的恒定以及功耗的相對穩(wěn)定。對類偽NMOS邏輯中的n
5、輸入邏輯門,只要1個PMOS、1個NMOS、n個SET就能實現(xiàn)其功能,與CMOS邏輯相比,類偽NMOS邏輯節(jié)省了面積,與偽NMOS邏輯相比,類偽NMOS邏輯降低了功耗。更為主要的,類偽NMOS邏輯對基于SET的大規(guī)模集成電路設(shè)計是非常適合的。
4.設(shè)計了基于SETMOS邏輯的可重構(gòu)反相器/緩沖器單元和可重構(gòu)類偽NMOS邏輯。我們設(shè)計了基于SETMOS邏輯的可重構(gòu)反相器/緩沖器單元,對該單元進(jìn)行了模擬并獲得了很好的結(jié)果,這是基于
6、SETMOS邏輯進(jìn)行可重構(gòu)設(shè)計的跨越性的一步,為后續(xù)的可重構(gòu)設(shè)計奠定了堅實的基礎(chǔ)。根據(jù)可重構(gòu)反相器/緩沖器單元,我們提出了更為一般的基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)邏輯,同時結(jié)合第四章中提出的類偽NMOS邏輯,我們將基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的可重構(gòu)邏輯命名為可重構(gòu)類偽NMOS邏輯,通過對可重構(gòu)類偽NMOS邏輯中3輸入代表性電路、多級電路、多扇出電路的設(shè)計和模擬,分別研究了其面積、功耗、延遲、電壓擺幅和驅(qū)動能力等多項性能指標(biāo),并與傳統(tǒng)的C
7、MOS邏輯進(jìn)行比較。明顯地,這種可重構(gòu)邏輯能擴(kuò)展到任意的n輸入的情形。在n輸入可重構(gòu)類偽NMOS邏輯電路中,通過電路的可重構(gòu)性和不同的配置,僅僅使用1個PMOS管、1個NMOS管和n個SET最多能實現(xiàn)2n種邏輯功能,這能大大減少面積和功耗。
5.設(shè)計了可重構(gòu)單SET多輸入邏輯。我們從機(jī)理上對可重構(gòu)類偽NMOS邏輯進(jìn)行研究?;谠摍C(jī)理,我們設(shè)計了基于SETMOS混合結(jié)構(gòu)的另一種可重構(gòu)邏輯:可重構(gòu)單SET多輸入邏輯,該種該類SET
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