CdSe量子點摻雜光學材料的光譜與非線性特性分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,技術的發(fā)展引領了向微觀以及納米尺寸結構材料的研究熱潮。應運而生的便是納米顆粒和量子點(QDs)。量子點也是一種半導體材料,但和傳統半導體材料的本質區(qū)別在于,傳統半導體材料的能級結構是連續(xù)的,而量子點的能級結夠是分立的。這樣一種獨特結構的材料,必然有著獨特的電子以及光學性質,可以為將來更為廣闊的技術發(fā)展領域,如激光,傳感器,量子計算設備等,打下良好基礎。
  在本文中,我們制備了摻雜CdSe/ZnS量子點的薄膜,并運用McC

2、umber理論對該量子點的發(fā)射截面進行了估算。根據相應波長及計算得到的發(fā)射截面,我們求得量子點的熒光壽命為1.12ns。通過與之前文獻所報道的結果進行比較,我們發(fā)現測量值與計算值相當吻合,證實在計算具有分裂能級的量子點的發(fā)射截面時,McCumber理論依然成立。
  之后,我們將Q-shift CdSe量子點散布于光學UV膠中制各成量子點摻雜薄膜,利用自行搭建的Z-Scan裝置,配合半導體泵浦固體(DPSS)激光器,在473nm的

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