低壓低溫漂CMOS基準電壓源的設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、基準電壓源被廣泛使用在模擬、數(shù)字和數(shù)?；旌闲盘柕南到y(tǒng)中，它為整個系統(tǒng)提供精準的參考電壓，其性能至關(guān)重要。隨著集成電路工藝尺寸的進一步減小和消費類電子產(chǎn)品的普及，實現(xiàn)基準電壓源在低電源電壓環(huán)境下的低溫漂工作尤其重要。
　　 本文分別基于CSMC-0.5μm亞微米工藝和SMIC-0.13μm深亞微米工藝，利用工作在亞閾值區(qū)的MOSFET設計CMOS基準電壓源，在保證低壓低溫漂兩個指標的前提下，兼顧其它相關(guān)指標。本文首先概述了基準電壓

2、源的技術(shù)指標、溫度補償原理和降低其正常工作的電源電壓的途徑。其次，提出了一種基于峰值電流鏡的偏置電路，利用該電路分別設計了兩款亞閾值型的CMOS基準電壓源。其中，方案一利用不同電阻的組合來對MOS管柵-源電壓隨溫度變化的高階項進行補償，但電源電壓不夠低；方案二利用溫度分段補償電路來實現(xiàn)溫度的高階補償，進一步降低了溫漂系數(shù)和電源電壓。再次，分別基于CSMC-0.5μm和SMIC-0.13μm標準CMOS工藝，繪制了方案一和方案二的版圖并進

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