碳納米管場(chǎng)發(fā)射熒光管的制備及性能研究.pdf

1、場(chǎng)發(fā)射光源具有低功耗、高亮度、長(zhǎng)壽命、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)，近年來(lái)成為人們研究的熱點(diǎn)。本文圍繞碳納米管場(chǎng)發(fā)射熒光管的實(shí)用化研究，針對(duì)其陽(yáng)極熒光屏的制作，開(kāi)展了陽(yáng)極ITO透明導(dǎo)電層的研制、熒光粉層的涂敷工藝研究及熒光管的組裝與測(cè)試三部分工作。
　　 首先，本文重點(diǎn)研究了ITO薄膜的溶膠——凝膠制備工藝。以硝酸銦、氯化錫、乙酰丙酮為原料配制溶膠，用提拉法在普通玻璃基底與玻璃管內(nèi)壁上拉制濕膜，最后進(jìn)行燒結(jié)熱處理制備ITO薄膜。研究了銦離子濃度

2、、摻錫摩爾比、熱處理溫度、熱處理時(shí)間、鍍膜次數(shù)等相關(guān)制備工藝參數(shù)對(duì)ITO薄膜結(jié)構(gòu)、形貌及光電性能的影響，結(jié)論如下：
　　 (1)XRD分析結(jié)果表明Sn元素被有效的摻進(jìn)了氧化銦晶格中，IIO薄膜具有立方鐵錳礦結(jié)構(gòu)，并呈[111]方向擇優(yōu)生長(zhǎng)。
　　 (2)SEM分析結(jié)果表明ITO薄膜表面呈納米粒子堆積而成的多孔結(jié)構(gòu)。
　　 (3)ITO薄膜的方阻隨溶膠中In3+濃度的增加而降低，當(dāng)In3+濃度增加到一定值后，薄膜表

3、面均勻性降低，薄膜方阻變化較小，在In3+濃度為0.2 mol/L時(shí)，薄膜的導(dǎo)電性與均勻性最好。
　　 (4)ITO薄膜的方阻隨摻錫比的增加而降低，摻錫比大于5％后薄膜方阻變化緩慢，在摻錫比為15％時(shí)方阻最??；ITO薄膜的可見(jiàn)光平均透過(guò)率隨摻錫比的增大而增大．
　　 (5)ITO薄膜的方阻隨熱處理溫度、熱處理時(shí)間及膜厚的增加而降低，分別在450℃及8h時(shí)薄膜的方阻最?。籌TO薄膜的可見(jiàn)光平均透過(guò)率隨熱處理溫度的增加而增大

4、，隨膜厚的增加而減小。
　　 (6)采用最佳工藝參數(shù)制備了具有良好光電性能的場(chǎng)發(fā)射熒光管陽(yáng)極ITO導(dǎo)電層，其中ITO薄膜的方阻為360Ω/口，可見(jiàn)光平均透過(guò)率約為82％。
　　 其次，采用電泳法涂覆熒光粉層，研究了相關(guān)制備工藝參數(shù)（包括熒光粉濃度、電解質(zhì)濃度、電泳電壓、電泳時(shí)間）對(duì)沉積熒光粉層厚度與表面形貌的影響，確定了制備熒光粉層的最佳工藝參數(shù)為：熒光粉濃度10g/L、電解質(zhì)濃度0.128 g/L，電泳電壓100V，電