物理多晶硅太陽(yáng)電池表面織構(gòu)與減反射膜匹配性能研究.pdf_第1頁(yè)

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1、經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的研究，太陽(yáng)電池工藝日益進(jìn)步，效率穩(wěn)步提高。多晶硅太陽(yáng)電池憑借較單晶硅太陽(yáng)電池更低廉的成本和相對(duì)簡(jiǎn)單的制作工藝得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)在工業(yè)上多晶硅太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)達(dá)到了18％左右。本文主要研究了物理多晶硅太陽(yáng)電池表面織構(gòu)的制備和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)法鍍減反射膜，以及表面織構(gòu)和SiNx薄膜性能的匹配。
　　本文采用酸腐蝕制備表面織構(gòu)，通過(guò)改變酸溶液HF與HNO3的配比和傳送速度即腐蝕時(shí)間，尋找與等離

2、子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備的SiNx薄膜性能最匹配的工藝方案。對(duì)分別經(jīng)過(guò)物理吸雜法、化學(xué)法處理的多晶硅片在制備表面織構(gòu)和鍍減反射膜后進(jìn)行反射率的測(cè)量，并擬合了酸溶液HF與HNO3的配比分別在1∶4.5，4.75，5，5.25，5.5和傳送速度分別在1.1，1.2，1.3，1.4m/min情況下的反射率曲線，結(jié)果表明:物理吸雜法處理的多晶硅片在酸溶液配比HF∶ HNO3為1∶4.75，傳送速度為1.4m/min的條件下制備的表面織構(gòu)和PEC

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