DDR2內(nèi)存控制器的模塊設(shè)計和驗(yàn)證平臺技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、存儲器作為集成電路產(chǎn)品中不可或缺的組成部分,也在一定程度上成為集成電路技術(shù)發(fā)展水平的表征。DDR2內(nèi)存是目前應(yīng)用最為廣泛的存儲器產(chǎn)品之一。DDR2接口控制器是實(shí)現(xiàn)DDR2內(nèi)存訪問的控制接口,在通用計算機(jī)和高端嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。本文設(shè)計了一款完全兼容國際標(biāo)準(zhǔn)、功能全面的DDR2內(nèi)存控制器IP,其不但具有良好的應(yīng)用前景,同時由于其設(shè)計難度較高,完成這一工作對提升自主的內(nèi)存控制器設(shè)計技術(shù)有一定的經(jīng)驗(yàn)積累作用。 論文的主要工

2、作集中在DDR2內(nèi)存控制器IP的部分關(guān)鍵功能模塊設(shè)計、總體驗(yàn)證平臺的搭建、驗(yàn)證功能組件的設(shè)計以及全設(shè)計功能驗(yàn)證的實(shí)施等幾個部分。研究重點(diǎn)和特色包括以下幾個方面: <1> DDR2內(nèi)存控制器結(jié)構(gòu)的劃分:由傳輸層和物理層組成,對兩個層次的任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法分別進(jìn)行了闡述。 <2>采用基于頁尋址的指令重新排序方案來優(yōu)化系統(tǒng)總線,在很大程度上提高了SDRAM總線利用率。 <3>采用ECC糾錯方案對數(shù)據(jù)存取進(jìn)行檢查與糾錯,提高

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