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1、 本文在總結(jié)納米材料及其應(yīng)用的基礎(chǔ)上,評(píng)述了磁記錄介質(zhì)研究的發(fā)展趨勢(shì),以及進(jìn)一步提高記錄密度和存儲(chǔ)容量所面臨的物理和技術(shù)問題。在解決物理基礎(chǔ)和技術(shù)問題的基礎(chǔ)上,納米線陣列材料有望實(shí)現(xiàn)量子化存儲(chǔ)?! ?本文在前人工作基礎(chǔ)上,以擴(kuò)展磁性納米線材料體系為切入點(diǎn),探索改進(jìn)現(xiàn)有的模板制備與納米線合成的方法和工藝,旨在獲得一種新的制備化合物納米線陣列的方法和工藝條件,為制備超高密度量子化存儲(chǔ)介質(zhì)提供參考和依據(jù)?! ?通過對(duì)
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