基于絲束電極技術(shù)的涂層深海腐蝕行為研究.pdf

1、目前作為防腐措施的有機(jī)涂層在深海環(huán)境中應(yīng)用廣泛，但是有機(jī)涂層表面缺陷是金屬基體腐蝕的優(yōu)先位置。所以，有必要研究有缺陷涂層在模擬深海環(huán)境下失效過(guò)程。本論文將通過(guò)絲束電極測(cè)試技術(shù)(WBE)與電化學(xué)阻抗譜技術(shù)(EIS)相結(jié)合，對(duì)涂層進(jìn)行單頻阻抗測(cè)試，并結(jié)合宏觀形貌等方法研究人造缺陷對(duì)有機(jī)涂層在模擬深海環(huán)境下失效過(guò)程的影響以及顏填料的影響。本論文的主要研究工作包括：
　　(1)驗(yàn)證了絲束電極技術(shù)與電化學(xué)阻抗譜技術(shù)聯(lián)用技術(shù)的可行性和可靠性。

2、通過(guò)在絲束電極有機(jī)涂層表面做出1mm×3mm的人造缺陷，測(cè)試100根絲電極的腐蝕電位、腐蝕電流密度以及頻率為1赫茲的單頻阻抗。并將數(shù)據(jù)與宏觀照片相互佐證，確定了絲束電極技術(shù)(WBE)與電化學(xué)阻抗譜技術(shù)(EIS)聯(lián)合使用研究有機(jī)涂層失效過(guò)程的可行性和可靠性。
　　(2)通過(guò)環(huán)氧涂層、環(huán)氧缺陷涂層在常壓環(huán)境下的單頻阻抗的測(cè)試，可以監(jiān)測(cè)到涂層的防護(hù)性能從缺陷處開(kāi)始下降，并不斷向周?chē)鷶U(kuò)展的過(guò)程，這與EIS數(shù)據(jù)的變化趨勢(shì)一致，而且還可以監(jiān)測(cè)

3、到缺陷以外的涂層在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)還有較好的防護(hù)性能，缺陷的存在只是加速了涂層的失效，并不會(huì)使涂層完全失去防護(hù)作用。
　　(3)通過(guò)環(huán)氧涂層和環(huán)氧缺陷缺陷在6MPa環(huán)境下的單頻阻抗測(cè)試，并與常壓環(huán)境下測(cè)得的單頻阻抗對(duì)比，可以監(jiān)測(cè)到6MPa環(huán)境下的單頻阻抗圖譜中代表低阻抗模值顏色的面積增加速度要比常壓環(huán)境下快，證實(shí)了靜水壓力的存在加速了涂層的失效，這與EIS的測(cè)試結(jié)果相一致，而且單頻阻抗數(shù)據(jù)還可以看出靜水壓力的存在對(duì)缺陷涂層的失效過(guò)程的影