銅單晶循環(huán)形變位錯組態(tài)的觀察與模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文把計算機模擬與具體實驗觀察相結合來研究單滑移取向銅單晶循環(huán)形變位錯組態(tài)的演化,為此該文 要進行了以下幾個方面研究,并獲得出一些結論和新的觀點。1.利用掃描電鏡電子通道襯度（SEM-ECC）技術對循環(huán)形變銅單晶位錯結構的研究表明,SEM-ECC技術可成功地用于觀察循環(huán)變形后金屬晶體的位錯結構和形貌,并可有效地用于研究循環(huán)形變銅單晶體位錯結構的演化。2.SEM-ECC觀察結果表明,可以把單滑移取向銅單晶疲勞早期位錯結構的演化分為兩個階段

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