基于PCB工藝的RF開關的研究.pdf

1、本文對基于PCB工藝的RF開關進行了研究，開關直接制作在PCB上，可以與制作在PCB上的射頻電路直接集成。利用HFSS和ANSYS軟件分別對開關的微波性能和力學性能進行了仿真，并對加工完成的傳輸線和開關進行了測試。最后對RF開關在可重構均衡器中的應用以及動態(tài)效應進行了研究。
　　本文設計了壓電驅動DC接觸式串聯開關和DC接觸式并聯開關，并且就開關的幾何參數對開關微波性能的影響進行了研究。根據仿真結果，對開關的結構進行了優(yōu)化。在10

2、～14GHz范圍內，串聯式開關的隔離度大于-24dB，插入損耗小于-0.4dB；并聯式開關的插入損耗小于-0.4dB，隔離度在13GHz時可以達到-40dB。
　　在力學仿真中，分析了壓電雙晶片的長度、厚度以及加載的電壓對壓電雙晶片驅動能力的影響，研究表明：當壓電雙晶片的長度為90mm，厚度為0.1mm，加載電壓為325V時，壓電雙晶片末端的彎曲位移可以達到2.16mm，滿足上述兩種開關的驅動要求。
　　本文還對RF開關在可

3、重構均衡器中的應用進行了研究，在吸收式多支節(jié)微帶均衡器中，利用RF開關來控制接入電路中的微帶支節(jié)的長度，從而改變均衡曲線，達到可重構的目的。當微帶支節(jié)的長度分別為7.7mm、11.3mm、17.5mm、20.3mm時，4種均衡曲線的形狀分別為下降、上升、凹下、凸起。
　　最后，本文以RF MEMS開關為例對典型的MEMS結構在運動過程中產生和輻射電磁波的機理以及產生的效應進行了研究。研究表明：在距離電磁波源1cm處，MEMS結構輻